| 中文摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 InGaAs /InP异质结光敏三极管 | 第9-10页 |
| 1.2 Al/MoO_3/p-InP MOS结构肖特基接触 | 第10-13页 |
| 1.3 In_(0.66)Ga_(0.34)As/InA超晶格电子阻挡层红外探测器 | 第13-14页 |
| 1.4 本文的主要工作内容和安排 | 第14-15页 |
| 参考文献 | 第15-17页 |
| 第二章 InGaAs/InP HPTs的光谱响应模型研究 | 第17-30页 |
| 2.1 引言 | 第17-18页 |
| 2.2 HPTs的器件结构 | 第18-19页 |
| 2.3 模型建立 | 第19-22页 |
| 2.4 结果计算与分析 | 第22-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27页 |
| 参考文献 | 第27-30页 |
| 第三章 Al/MoO_3/p-InP势垒增强型肖特基二极管I-V和C-V特性研究 | 第30-50页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 器件的实验制备 | 第30-32页 |
| 3.3 实验数据的测量与分析 | 第32-47页 |
| 3.3.1 I-V测量与分析 | 第32-35页 |
| 3.3.2 零偏压势垒(?)和理想因子n与温度的变化关系 | 第35-37页 |
| 3.3.3 肖特基势垒的不均匀性 | 第37-40页 |
| 3.3.4 平坦肖特基势垒高度(?) | 第40-44页 |
| 3.3.5 肖特基接触的C-V特性 | 第44-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 第四章 In_(0.66)Ga_(0.34)As/InAs超晶格红外探测器 | 第50-61页 |
| 4.1 引言 | 第50-52页 |
| 4.2 器件结构设计和软件建模 | 第52-53页 |
| 4.3 器件的暗电流仿真与优化 | 第53-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 第五章 结论及未来工作 | 第61-63页 |
| 攻读硕士学位期间的学术成果 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
