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InP基近红外器件的研究

中文摘要第4-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第9-17页
    1.1 InGaAs /InP异质结光敏三极管第9-10页
    1.2 Al/MoO_3/p-InP MOS结构肖特基接触第10-13页
    1.3 In_(0.66)Ga_(0.34)As/InA超晶格电子阻挡层红外探测器第13-14页
    1.4 本文的主要工作内容和安排第14-15页
    参考文献第15-17页
第二章 InGaAs/InP HPTs的光谱响应模型研究第17-30页
    2.1 引言第17-18页
    2.2 HPTs的器件结构第18-19页
    2.3 模型建立第19-22页
    2.4 结果计算与分析第22-27页
    2.5 本章小结第27页
    参考文献第27-30页
第三章 Al/MoO_3/p-InP势垒增强型肖特基二极管I-V和C-V特性研究第30-50页
    3.1 引言第30页
    3.2 器件的实验制备第30-32页
    3.3 实验数据的测量与分析第32-47页
        3.3.1 I-V测量与分析第32-35页
        3.3.2 零偏压势垒(?)和理想因子n与温度的变化关系第35-37页
        3.3.3 肖特基势垒的不均匀性第37-40页
        3.3.4 平坦肖特基势垒高度(?)第40-44页
        3.3.5 肖特基接触的C-V特性第44-47页
    3.4 本章小结第47页
    参考文献第47-50页
第四章 In_(0.66)Ga_(0.34)As/InAs超晶格红外探测器第50-61页
    4.1 引言第50-52页
    4.2 器件结构设计和软件建模第52-53页
    4.3 器件的暗电流仿真与优化第53-58页
    4.4 本章小结第58-59页
    参考文献第59-61页
第五章 结论及未来工作第61-63页
攻读硕士学位期间的学术成果第63-64页
致谢第64-65页

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