基于GaAs PHEMT工艺的射频及逻辑电路的设计与实现
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 研究背景及发展现状 | 第9-11页 |
| 1.1.1 低噪声放大器 | 第9-10页 |
| 1.1.2 T/R逻辑控制电路 | 第10-11页 |
| 1.2 本文主要工作及章节安排 | 第11-13页 |
| 第二章 低噪声放大器的基本理论 | 第13-19页 |
| 2.1 噪声的基本理论 | 第13-14页 |
| 2.1.1 噪声的基本概念 | 第13页 |
| 2.1.2 半导体器件噪声的分类 | 第13页 |
| 2.1.3 半导体管的噪声 | 第13-14页 |
| 2.2 经典二端口网络噪声理论 | 第14-16页 |
| 2.2.1 噪声系数 | 第14页 |
| 2.2.2 等效噪声温度 | 第14-15页 |
| 2.2.3 级联系统的噪声系数 | 第15-16页 |
| 2.3 单片低噪声放大器的设计理论 | 第16-19页 |
| 2.3.1 低噪声放大器的主要指标 | 第16-17页 |
| 2.3.2 等噪声系数圆 | 第17-19页 |
| 第三章 S波段低噪声放大器的设计 | 第19-34页 |
| 3.1 放大器基本方案 | 第19-20页 |
| 3.2 器件尺寸和直流偏置点的选择 | 第20-24页 |
| 3.2.1 两级pHEMT管尺寸选择 | 第21页 |
| 3.2.2 直流偏置点的选择 | 第21-23页 |
| 3.2.3 偏置电路的设计 | 第23-24页 |
| 3.3 匹配电路的设计 | 第24-26页 |
| 3.3.1 输入匹配电路 | 第24-25页 |
| 3.3.2 源极反馈和级间匹配电路 | 第25-26页 |
| 3.4 整体电路的原理图和版图仿真 | 第26-29页 |
| 3.4.1 电路原理图仿真 | 第26-27页 |
| 3.4.2 电路电磁仿真 | 第27-29页 |
| 3.5 流片与测试结果分析 | 第29-33页 |
| 3.5.1 小信号测试与仿真结果对比 | 第30-31页 |
| 3.5.2 功率与高低温测试 | 第31-33页 |
| 3.6 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 18-40 GHz LNA设计 | 第34-49页 |
| 4.1 宽带放大器的方案 | 第34-36页 |
| 4.1.1 负反馈技术 | 第35页 |
| 4.1.2 匹配网络补偿 | 第35页 |
| 4.1.3 分布式放大器 | 第35-36页 |
| 4.1.4 平衡式放大器 | 第36页 |
| 4.2 18-40 GHz低噪声放大器的设计流程 | 第36-44页 |
| 4.2.1 PHEMT管尺寸及直流偏置点选择 | 第37-38页 |
| 4.2.2 偏置电路和匹配电路的确定 | 第38-39页 |
| 4.2.3 Lange耦合器与整体电路的仿真 | 第39-44页 |
| 4.3 流片与测试结果分析 | 第44-47页 |
| 4.3.1 芯片测试结果与仿真对比 | 第44-46页 |
| 4.3.2 芯片功率和高低温测试结果 | 第46-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第五章 T/R串并转换逻辑电路 | 第49-60页 |
| 5.1 基本逻辑单元的设计 | 第49-53页 |
| 5.1.1 常见的基本逻辑单元结构 | 第49-51页 |
| 5.1.2 基于DCFL结构的基本电路及原理 | 第51-53页 |
| 5.2 总体方案及关键部分的设计 | 第53-56页 |
| 5.2.1 总体方案设计 | 第53-54页 |
| 5.2.2 D触发器的基本结构 | 第54-55页 |
| 5.2.3 输出电平转换电路的设计 | 第55-56页 |
| 5.3 串并转换逻辑电路的实测 | 第56-58页 |
| 5.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 第六章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 作者简介 | 第68页 |
