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新型SONOS单元NOR闪存设计

摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 绪论第8-15页
    1.1 FLASH 存储器发展状况第8-9页
    1.2 FLASH 存储器的技术分类第9-11页
    1.3 FLASH 存储器产品和技术的发展趋势第11页
    1.4 FLASH 存储器单元编程和擦除机制第11-13页
    1.5 课题的主要工作及技术要点第13-14页
    1.6 论文章节构成第14-15页
第二章 新型SONOS 单元工作条件设定第15-20页
    2.1 新型SONOS 结构闪存单元和阵列简介第15-16页
    2.2 器件的工作机制第16-17页
    2.3 对于编程和读写可靠性的几种影响第17页
    2.4 工作条件的确定第17-19页
    2.5 新单元对于设计的几点挑战第19-20页
第三章 FLASH 存储器电路设计第20-28页
    3.1 电路设计概述第20页
    3.2 电路模块设计第20-25页
    3.3 工作模式设计第25-28页
第四章 版图设计第28-31页
    4.1 阵列与解码第28-29页
    4.2 灵敏放大器第29页
    4.3 带隙基准源第29-30页
    4.4 电荷泵第30页
    4.5 版图的验证与检查第30-31页
第五章 测试及改进的展望第31-39页
    5.1 仿真结果第31-35页
    5.2 存储器测试简介第35-36页
    5.3 功能测试简介第36-37页
    5.4 性能测试简介第37页
    5.5 测试流程简介第37-38页
    5.6 问题的查找和改进第38-39页
结束语第39-40页
    (1) 总结第39页
    (2) 展望第39-40页
研究生期间发表的论文第40-41页
参考文献第41-42页
致谢第42页

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