| 中文摘要 | 第2页 |
| 第一章 绪论 | 第6-19页 |
| 1．1 功率半导体器件发展简况 | 第6-8页 |
| 1．2 双极-MOS功率半导体器件的发展动态 | 第8-14页 |
| 1．3 BJMOSFET的提出及研究意义 | 第14-15页 |
| 1．4 BJMOSFET特性的计算机模拟概况 | 第15-19页 |
| 第二章 BJMOSFET的结构及工作原理 | 第19-26页 |
| 2．1 BJMOSFET的基本结构及工作原理 | 第19-23页 |
| 2．2 硅栅BJMOSFET的制造工艺简况 | 第23页 |
| 2．3 BJMOSFET的能带结构 | 第23-26页 |
| 第三章 BJMOSFET的直流特性分析 | 第26-46页 |
| 3．1 BJMOSFET静态特性的电荷控制模型及模拟分析 | 第26-38页 |
| 3．2 P~（+N）二极管/MOSFET模型的压控N~+-N-P~+模型 | 第38-44页 |
| 3．3 BJMOSFET的击穿电压与阴断能力的模拟 | 第44-46页 |
| 第四章 BJMOSFET的频率特性 | 第46-54页 |
| 4．1 BJMOSFET的大信号模型 | 第46-48页 |
| 4．2 BJMOSFET的小信号模型 | 第48-49页 |
| 4．3 模拟与分析 | 第49-51页 |
| 4．4 BJMOSFET的频率限制 | 第51-54页 |
| 第五章 BJMOSFET的开关特性 | 第54-62页 |
| 5．1 BJMOSFET的瞬态分析 | 第54-57页 |
| 5．2 BJMOSFET模拟开关 | 第57-59页 |
| 5．3 di/dt容量 | 第59页 |
| 5．4 dv/dt容量 | 第59-62页 |
| 第六章 BJMOSFET的温度特性与功率特性 | 第62-69页 |
| 6．1 BJMOSFET的温度特性 | 第62-67页 |
| 6．2 BJMOSFET的功率特性 | 第67-69页 |
| 第七章 总结 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 致 谢 | 第75页 |
