| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 1 绪言 | 第11-29页 |
| 1.1 存储器概况 | 第11-12页 |
| 1.2 浮栅型存储器 | 第12-14页 |
| 1.3 Flash 存储器 | 第14-18页 |
| 1.4 电荷陷阱型存储器 | 第18-22页 |
| 1.5 高 k 材料在 MONOS 存储器中的应用 | 第22-26页 |
| 1.6 本文主要内容及结构安排 | 第26-29页 |
| 2 主要制备工艺和特性表征方法 | 第29-39页 |
| 2.1 引言 | 第29-30页 |
| 2.2 衬底硅片表面清洗 | 第30-31页 |
| 2.3 薄膜制备工艺 | 第31-34页 |
| 2.4 电极制备工艺 | 第34页 |
| 2.5 介质薄膜及界面质量的微观分析方法 | 第34-36页 |
| 2.6 电容电学测量与存储特性表征 | 第36-39页 |
| 3 镧系二元混合金属(氮)氧化物存储层特性研究 | 第39-53页 |
| 3.1 引言 | 第39页 |
| 3.2 LaHf (氮)氧化物存储层特性研究 | 第39-44页 |
| 3.3 LaYO 和 LaTiO 存储层特性研究 | 第44-51页 |
| 3.3.1 样品制备 | 第44-45页 |
| 3.3.2 栅堆栈介质的微观分析 | 第45-47页 |
| 3.3.3 存储特性测量及结果分析 | 第47-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 4 镧系一元 Gd 金属(氮)氧化物存储层特性研究 | 第53-73页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 GdO(N)存储层特性及退火工艺优化 | 第53-62页 |
| 4.3 富(缺)氧 GdO 存储层特性及退火工艺优化 | 第62-71页 |
| 4.4 本章小结 | 第71-73页 |
| 5 双隧穿层 MONOS 电容存储器的制备和特性分析 | 第73-84页 |
| 5.1 引言 | 第73页 |
| 5.2 样品制备工艺 | 第73-74页 |
| 5.3 样品结构设计的可行性分析 | 第74-78页 |
| 5.4 存储特性测量及结果分析 | 第78-82页 |
| 5.5 本章小结 | 第82-84页 |
| 6 双存储层 MONOS 电容存储器的制备和特性分析 | 第84-96页 |
| 6.1 引言 | 第84页 |
| 6.2 样品制备工艺 | 第84-85页 |
| 6.3 栅堆栈介质的微观分析 | 第85-89页 |
| 6.4 存储特性测量及结果分析 | 第89-94页 |
| 6.5 本章小结 | 第94-96页 |
| 7 MONOS 存储器电荷保持特性建模与模拟 | 第96-108页 |
| 7.1 引言 | 第96页 |
| 7.2 电荷泄漏机制 | 第96-100页 |
| 7.3 电荷陷阱能级与空间分布 | 第100-102页 |
| 7.4 模型建立与仿真分析 | 第102-107页 |
| 7.5 本章小结 | 第107-108页 |
| 8 总结与展望 | 第108-113页 |
| 8.1 总结与创新点 | 第108-111页 |
| 8.2 展望 | 第111-113页 |
| 致谢 | 第113-115页 |
| 参考文献 | 第115-128页 |
| 附录 攻读博士学位期间发表的论文 | 第128-129页 |
