| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 Cu互连技术的提出 | 第9-11页 |
| 1.2 扩散阻挡层结构 | 第11-12页 |
| 1.3 无扩散阻挡结构 | 第12-17页 |
| 1.3.1 无扩散阻挡结构的提出 | 第12-13页 |
| 1.3.2 合金元素的选择 | 第13-17页 |
| 1.4 选题背景 | 第17-19页 |
| 1.4.1 Cu-Ni-M稳定固溶体团簇模型 | 第17-18页 |
| 1.4.2 Cu-Ni-M稳定固溶体模型在无扩散阻挡领域的应用 | 第18-19页 |
| 1.5 本文研究内容 | 第19-22页 |
| 2 薄膜制备与分析方法 | 第22-31页 |
| 2.1 Cu-Ni-M合金薄膜的制备 | 第22-26页 |
| 2.1.1 磁控溅射镀膜技术 | 第22-23页 |
| 2.1.2 磁控溅射设备 | 第23-24页 |
| 2.1.3 Cu-Ni-M合金薄膜的制备工艺 | 第24-26页 |
| 2.2 Cu-Ni-M合金薄膜的分析 | 第26-31页 |
| 2.2.1 薄膜成分分析 | 第26-28页 |
| 2.2.2 薄膜电阻率分析 | 第28-29页 |
| 2.2.3 薄膜微结构分析 | 第29-31页 |
| 3 Cu-Ni-Ti和Cu-Ni-Ta三元薄膜的电学性能和微结构分析 | 第31-63页 |
| 3.1 Ni-M(M=Ti或Ta)合金总量不同对薄膜电阻率影响 | 第31-36页 |
| 3.1.1 薄膜成分结果 | 第31-33页 |
| 3.1.2 电阻率分析结果 | 第33-36页 |
| 3.2 Ni-M(M=Ti或Ta)掺杂总量相同,M/Ni比不同对薄膜性能影响 | 第36-63页 |
| 3.2.1 EPMA成分分析结果 | 第36-37页 |
| 3.2.2 成分深度剖析结果 | 第37-42页 |
| 3.2.3 电阻率结果分析 | 第42-48页 |
| 3.2.4 XRD分析 | 第48-53页 |
| 3.2.5 TEM分析 | 第53-58页 |
| 3.2.6 讨论 | 第58-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
