摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第10-19页 |
1.1 课题背景及研究的目的与意义 | 第10-11页 |
1.1.1 课题研究背景 | 第10-11页 |
1.1.2 研究的目的与意义 | 第11页 |
1.2 锑化物 TPV 系统相关研究问题 | 第11-15页 |
1.2.1 光电转换机理 | 第11-12页 |
1.2.2 热光伏系统构造 | 第12-13页 |
1.2.3 热光伏电池材料 | 第13-14页 |
1.2.4 热光伏电池器件特性模拟分析方法 | 第14-15页 |
1.3 国内外在该方向的研究概况 | 第15-17页 |
1.3.1 热光伏技术的研究概况 | 第15-16页 |
1.3.2 锑化物半导体材料生长研究概况 | 第16-17页 |
1.4 主要研究内容 | 第17-19页 |
第2章 材料生长方法及测试技术 | 第19-27页 |
2.0 引言 | 第19页 |
2.1 材料的生长方法 | 第19-22页 |
2.1.1 薄膜生长方式 | 第19-20页 |
2.1.2 实验设备 | 第20-21页 |
2.1.3 MBE 技术原理和特点 | 第21页 |
2.1.4 RHEED 原位监控技术 | 第21-22页 |
2.3 材料的分析测试方法 | 第22-25页 |
2.3.1 原子力显微镜技术(AFM) | 第22-23页 |
2.3.2 X 射线衍射技术(XRD) | 第23-24页 |
2.3.3 I-V 特性测试系统 | 第24-25页 |
2.4 TPV 电池制备方法 | 第25-27页 |
2.4.1 湿法刻蚀 | 第25页 |
2.4.2 光刻机 | 第25-26页 |
2.4.3 台阶仪 | 第26-27页 |
第3章 锑化物 TPV 电池器件模拟及性能优化分析 | 第27-54页 |
3.1 引言 | 第27页 |
3.2 锑化物 TPV 电池的物理模型及基本性能参数 | 第27-30页 |
3.2.1 锑化物 TPV 电池的物理模型 | 第27-28页 |
3.2.2 短路电流密度 | 第28页 |
3.2.3 开路电压 | 第28-29页 |
3.2.4 填充因子 | 第29页 |
3.2.5 转换效率 | 第29-30页 |
3.3 锑化物 TPV 电池材料特性参数的模拟 | 第30-43页 |
3.3.1 少数载流子的复合机制 | 第30-34页 |
3.3.2 吸收系数 | 第34-38页 |
3.3.3 少子迁移率 | 第38-42页 |
3.3.4 少子扩散长度 | 第42-43页 |
3.4 锑化物 TPV 电池器件模拟及性能优化 | 第43-52页 |
3.4.1 GaSb/GaAs TPV 电池器件模拟及性能优化 | 第44-49页 |
3.4.2 InAs/ GaSb TPV 电池器件模拟及性能优化 | 第49-52页 |
3.5 本章小结 | 第52-54页 |
第4章 材料的外延生长与结构质量表征 | 第54-63页 |
4.1 引言 | 第54页 |
4.2 衬底的选择与处理 | 第54-55页 |
4.2.1 衬底的选择 | 第54页 |
4.2.2 衬底的处理 | 第54-55页 |
4.3 p-GaSb/n-GaAs 薄膜生长与结构质量分析 | 第55-57页 |
4.3.1 GaSb 层的生长设计 | 第55-56页 |
4.3.2 薄膜 AFM 表面形貌分析 | 第56页 |
4.3.3 薄膜 XRD 结构质量分析 | 第56-57页 |
4.4 p-InAs/n-GaSb 薄膜生长与结构质量分析 | 第57-61页 |
4.4.1 薄膜的生长设计 | 第57-58页 |
4.4.2 薄膜 AFM 表面形貌分析 | 第58-60页 |
4.4.3 薄膜 XRD 结构质量分析 | 第60-61页 |
4.5 薄膜厚度测试 | 第61-62页 |
4.6 本章小结 | 第62-63页 |
第5章 锑化物 TPV 电池光电性能研究 | 第63-70页 |
5.1 引言 | 第63页 |
5.2 TPV 电池的制备 | 第63-65页 |
5.2.0 概述 | 第63页 |
5.2.1 电极制备工艺过程 | 第63-64页 |
5.2.2 腐蚀方法 | 第64-65页 |
5.3 TPV 电池 I-V 性能测试 | 第65-69页 |
5.3.1 伏安特性测试及结果分析 | 第65-67页 |
5.3.2 光电性能测试及结果分析 | 第67-69页 |
5.4 本章小结 | 第69-70页 |
结论 | 第70-71页 |
参考文献 | 第71-76页 |
致谢 | 第76页 |