| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 新型半导体存储器的存储机理介绍 | 第11-15页 |
| 1.2.1 FeRAM简介 | 第11-12页 |
| 1.2.2 MRAM简介 | 第12-13页 |
| 1.2.3 RRAM简介 | 第13-14页 |
| 1.2.4 PCRAM简介 | 第14-15页 |
| 1.3 相变存储器综述 | 第15-21页 |
| 1.3.1 相变存储器工作原理 | 第15-17页 |
| 1.3.2 相变存储器的材料研究发展 | 第17-19页 |
| 1.3.3 相变存储材料的研究方法概况 | 第19-21页 |
| 1.4 本文的研究目的和内容 | 第21-22页 |
| 第2章 实验仪器及方法 | 第22-32页 |
| 2.1 相变薄膜材料的原位相变分析实验仪器 | 第22-26页 |
| 2.1.1 TEM简介 | 第22-24页 |
| 2.1.2 STM-TEM简介 | 第24-25页 |
| 2.1.3 电化学腐蚀物针尖装置简介 | 第25-26页 |
| 2.2 相变薄膜材料性能与微观结构分析仪器 | 第26-27页 |
| 2.3 相变薄膜材料样品的制备 | 第27-29页 |
| 2.4 实验方法 | 第29-32页 |
| 第3章 掺杂Zn的GST薄膜相变研究 | 第32-44页 |
| 3.1 Zn-GST薄膜表征与成分定性分析 | 第32-34页 |
| 3.2 Zn-GST薄膜电压加载过程的变化分析 | 第34-39页 |
| 3.2.1 Zn-GST薄膜电压加载实验 | 第34-36页 |
| 3.2.2 Zn-GST薄膜破损分析 | 第36-37页 |
| 3.2.3 Zn-GST薄膜电子衍射径向分布函数分析 | 第37-39页 |
| 3.3 碳膜干扰排除实验 | 第39-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-44页 |
| 第4章 掺杂Ag的GST的相变研究 | 第44-58页 |
| 4.1 薄膜制备以及成分分析 | 第44-45页 |
| 4.2 Ag-GST薄膜原位电致相变 | 第45-48页 |
| 4.3 Ag-GST薄膜原位加载电压的变化研究 | 第48-51页 |
| 4.3.1 Ag-GST薄膜加载电压实验 | 第48-49页 |
| 4.3.2 Ag-GST薄膜二次加载电压实验 | 第49-51页 |
| 4.4 Ag-GST薄膜的微观变化研究 | 第51-56页 |
| 4.4.1 Ag-GST薄膜加载正向电压实验 | 第51-53页 |
| 4.4.2 Ag-GST薄膜加载正负电压实验 | 第53-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66页 |