| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-15页 |
| ·课题学术及研究意义 | 第7-10页 |
| ·负电子亲和势光电阴极 | 第7-8页 |
| ·GaN 紫外光电阴极 | 第8-10页 |
| ·课题研究意义 | 第10页 |
| ·GaN 光电阴极国内外的研究现状 | 第10-13页 |
| ·本文的主要工作 | 第13-15页 |
| 2 GaN 光电阴极量子效率的影响因素 | 第15-25页 |
| ·基本理论背景 | 第15-18页 |
| ·掺杂浓度对阴极量子效率的影响 | 第18-19页 |
| ·电导率对阴极的量子效率的影响 | 第19-22页 |
| ·体内电导率对量子效率的影响 | 第19-20页 |
| ·表面电导率对量子效率的影响 | 第20-21页 |
| ·实验结果分析 | 第21-22页 |
| ·阴极厚度对阴极量子效率的影响 | 第22-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 3 GaN 阴极材料的性能表征 | 第25-43页 |
| ·GaN 材料的外延生长 | 第25-26页 |
| ·金属有机物化学气相外延 | 第25页 |
| ·分子束外延 | 第25-26页 |
| ·氢化物汽相外延 | 第26页 |
| ·阴极厚度测量研究 | 第26-33页 |
| ·GaN 外延材料厚度的测量模型 | 第26-31页 |
| ·实验与厚度计算 | 第31-33页 |
| ·GaN 阴极材料的光学特性 | 第33-36页 |
| ·GaN 阴极材料的电学特性 | 第36-40页 |
| ·霍尔效应 | 第36-38页 |
| ·测量结果分析 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-43页 |
| 4 GaN 光电阴极的制备工艺 | 第43-57页 |
| ·NEA 光电阴极制备的基本工艺流程 | 第43页 |
| ·NEA 光电阴极的制备实验平台 | 第43-47页 |
| ·超高真空激活系统 | 第44-46页 |
| ·多信息量在线监控系统 | 第46-47页 |
| ·表面分析系统 | 第47页 |
| ·GaN 表面的净化工艺研究 | 第47-50页 |
| ·化学清洗工艺 | 第47-48页 |
| ·加热净化工艺 | 第48-49页 |
| ·讨论 | 第49-50页 |
| ·GaN 光电阴极的Cs 激活工艺 | 第50-52页 |
| ·GaN 光电阴极的Cs/O 激活工艺 | 第52-53页 |
| ·GaN 光电阴极的高低温激活工艺 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 5 不同结构的 GaN 光电阴极的实验结果与性能比较 | 第57-69页 |
| ·低掺杂与高掺杂GaN 光电阴极的对比研究 | 第57-60页 |
| ·实验样品及阴极制备 | 第57-59页 |
| ·量子效率特性测试结果 | 第59-60页 |
| ·讨论 | 第60页 |
| ·变掺杂与均匀掺杂GaN 光电阴极的对比研究 | 第60-64页 |
| ·实验样品及阴极制备 | 第61-62页 |
| ·量子效率特性测试结果 | 第62页 |
| ·讨论 | 第62-64页 |
| ·GaN 阴极在反射和透射模式下的量子效率特性比较与分析 | 第64-68页 |
| ·量子效率特性测试结果 | 第65-66页 |
| ·实验结果分析 | 第66-67页 |
| ·小结 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 6 总结与展望 | 第69-71页 |
| ·本文工作总结 | 第69-70页 |
| ·有待进一步解决的问题和建议 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 附录 | 第77页 |