| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-23页 |
| 1.1 NVM概述 | 第17-20页 |
| 1.1.1 传统的Flash存储器 | 第18-19页 |
| 1.1.2 新兴的存储器 | 第19-20页 |
| 1.2 RRAM存储器研究现状 | 第20-21页 |
| 1.3 本文的选题意义以及各章研究内容安排 | 第21-23页 |
| 第二章 RRAM概述 | 第23-35页 |
| 2.1 RRAM的基本结构及工作原理 | 第24-26页 |
| 2.1.1 RRAM工作原理 | 第24-25页 |
| 2.1.2 RRAM的基本操作模式 | 第25-26页 |
| 2.2 RRAM的基本结构及工作原理 | 第26-30页 |
| 2.2.1 细丝模型 | 第26-29页 |
| 2.2.2 界面模型 | 第29-30页 |
| 2.3 RRAM器件常用材料 | 第30-33页 |
| 2.3.0 固体电解质材料 | 第30-31页 |
| 2.3.1 钙钛矿氧化物 | 第31页 |
| 2.3.2 二元金属氧化物 | 第31-32页 |
| 2.3.3 有机材料 | 第32-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 基于叠层结构RRAM器件的建模与仿真 | 第35-49页 |
| 3.1 基于氧空位导电的Pt/HfO_2/TiO_2/Pt RRAM器件模型构建 | 第35-38页 |
| 3.1.1 器件几何结构建模 | 第35-37页 |
| 3.1.2 器件的电-热耦合物理模型 | 第37-38页 |
| 3.2 器件Reset过程仿真 | 第38-43页 |
| 3.2.1 器件Reset过程氧空位分布 | 第38-40页 |
| 3.2.2 Reset过程中电场分布 | 第40-41页 |
| 3.2.3 Reset过程中温度分布 | 第41-43页 |
| 3.3 器件Set过程仿真 | 第43-45页 |
| 3.3.1 器件Set过程氧空位分布 | 第43页 |
| 3.3.2 Set过程中电场分布 | 第43-44页 |
| 3.3.3 Set过程中温度分布 | 第44-45页 |
| 3.4 叠层结构对器件阻变特性的影响 | 第45-47页 |
| 3.4.1 叠层结构对氧空位分布的影响 | 第45-46页 |
| 3.4.2 叠层结构对转换电压的影响 | 第46-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 TiO_2基薄膜RRAM器件的阻变特性研究 | 第49-61页 |
| 4.1 Pt/TiO_2/TiO_x/Pt器件工艺制备流程 | 第49-51页 |
| 4.2 TiO_2基RRAM器件的微观机理分析 | 第51-52页 |
| 4.3 工艺参数对阻变特性的影响 | 第52-56页 |
| 4.3.1 氧氩比对阻变特性的影响 | 第53-55页 |
| 4.3.2 脉冲频率对阻变特性的影响 | 第55-56页 |
| 4.4 Pt/TiO_2/TiO_x/Pt器件的阻变特性 | 第56-59页 |
| 4.4.1 器件的电学特性 | 第56-58页 |
| 4.4.2 器件的导电机制分析 | 第58-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 基于氧化铪薄膜RRAM器件阻变特性研究 | 第61-71页 |
| 5.1 氧化铪RRAM器件的电流过冲效应 | 第61-66页 |
| 5.1.1 Pt/HfO_2/HfO_x/Pt RRAM器件的电流过冲效应 | 第61-63页 |
| 5.1.2 通氧量对器件电流过冲效应的影响 | 第63-65页 |
| 5.1.3 器件厚度对电流过冲效应的影响 | 第65-66页 |
| 5.2 Pt/HfO_2/HfO_x/Pt RRAM器件结构及基本阻变I-V特性 | 第66-70页 |
| 5.2.1 器件结构及基本阻变I-V特性 | 第66-69页 |
| 5.2.2 电阻转变及导电机制分析 | 第69-70页 |
| 5.3 本章小结 | 第70-71页 |
| 第六章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 6.1 总结 | 第71页 |
| 6.2 展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 作者简介 | 第79-80页 |
