| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 MX_2的结构与性质 | 第10-13页 |
| 1.2.1 MX_2的晶体结构 | 第10-11页 |
| 1.2.2 MX_2的电子结构 | 第11-12页 |
| 1.2.3 MX_2的光学性质 | 第12-13页 |
| 1.3 MX_2的应用 | 第13-16页 |
| 1.3.1 场效应晶体管 | 第13-15页 |
| 1.3.2 光电器件 | 第15页 |
| 1.3.3 谷电子学中的应用 | 第15-16页 |
| 1.4 MX_2纳米片的制备现状 | 第16-19页 |
| 1.5 MX_2异质结构的制备与发光研究现状 | 第19-21页 |
| 1.6 本文选题意义及主要研究内容 | 第21-24页 |
| 第2章 MX_2纳米片的制备方法与表征手段 | 第24-29页 |
| 2.1 化学气相沉积法简介 | 第24-25页 |
| 2.2 MX_2纳米片的表征方法 | 第25-29页 |
| 2.2.1 光学显微镜 | 第25页 |
| 2.2.2 拉曼与光致发光光谱 | 第25-27页 |
| 2.2.3 原子力显微镜 | 第27-29页 |
| 第3章 MX_2纳米片的制备与光致发光研究 | 第29-52页 |
| 3.1 MX_2纳米片的制备流程 | 第29-31页 |
| 3.2 生长条件对MX_2纳米片制备的影响 | 第31-40页 |
| 3.2.1 金属氧化物与衬底的摆放方式对制备MX_2的影响 | 第31-34页 |
| 3.2.2 气压对制备MX_2的影响 | 第34-35页 |
| 3.2.3 气流量对制备MX_2的影响 | 第35-36页 |
| 3.2.4 生长温度对制备MX_2的影响 | 第36-37页 |
| 3.2.5 与温度相关的MX_2生长模型 | 第37-40页 |
| 3.3 MX_2纳米片的表征与光致发光性质的研究 | 第40-50页 |
| 3.3.1 WS_2纳米片的表征与光致发光研究 | 第40-42页 |
| 3.3.2 WSe_2纳米片的表征与光致发光研究 | 第42-46页 |
| 3.3.3 MoS_2纳米片的表征与光致发光研究 | 第46-48页 |
| 3.3.4 MoSe_2纳米片的表征 | 第48-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 第4章 WS_2-MoS_2面内异质结构的制备与表征 | 第52-59页 |
| 4.1 WS_2-MoS_2面内异质结构的制备 | 第52-54页 |
| 4.2 WS_2-MoS_2面内异质结构的表征 | 第54-57页 |
| 4.3 WS_2-MoS_2面内异质结构的光致发光研究 | 第57-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
