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氮/氘等离子体辐照钨第一壁材料服役行为研究

摘要第7-9页
Abstract第9-10页
第一章 绪论第11-23页
    1.1 研究背景第11-12页
    1.2 磁约束受控热核聚变第12-15页
    1.3 托卡马克器壁材料第15-17页
        1.3.1 石墨/铍第15页
        1.3.2 钨基材料第15-16页
        1.3.3 低活化铁素体/马氏体钢第16-17页
    1.4 边界等离子体与第一壁材料相互作用第17-18页
        1.4.1 物理相互作用第17-18页
        1.4.2 化学相互作用第18页
    1.5 杂质气体注入冷却边界等离子体研究现状第18-21页
    1.6 本文研究的内容、目的和意义第21-23页
第二章 试验设计及研究方法第23-31页
    2.1 引言第23页
    2.2 样品制备方法第23-27页
        2.2.1 薄膜制备方法第23-27页
        2.2.2 钨块预处理方法第27页
    2.3 模拟不同参数等离子体与钨材料的相互作用实验第27-29页
    2.4 分析测试第29-31页
        2.4.1 薄膜的显微组织分析第29页
        2.4.2 氘和氮在钨内的滞留行为分析第29-30页
        2.4.3 等离子体辐照后钨块表面光学显微分析第30页
        2.4.4 SRIM程序模拟高能氮离子对钨块的辐照损伤第30页
        2.4.5 元素深度分布分析第30-31页
第三章 氮化钨模拟薄膜热稳定性研究第31-41页
    3.1 引言第31页
    3.2 磁控溅射制备氮化钨薄膜第31页
        3.2.1 实验材料第31页
        3.2.2 磁控溅射制备氮化钨薄膜工艺第31页
    3.3 氮化钨薄膜的结构分析第31-33页
        3.3.1 氮化钨薄膜的显微组织第32页
        3.3.2 氮化钨薄膜的物相分析第32-33页
    3.4 氮化钨薄膜的热稳定性分析第33-39页
        3.4.1 氮化钨薄膜内氮气的热脱附行为研究第33-34页
        3.4.2 不同温度退火后薄膜断面和表面形貌的变化第34-35页
        3.4.3 不同温度退火后薄膜化学状态分析第35-36页
        3.4.4 不同温度退火后薄膜中晶体结构和元素深度分布分析第36-39页
        3.4.5 相同温度退火不同时间后元素深度分布和晶体结构分析第39页
    3.5 本章小结第39-41页
第四章 氮离子辐照钨材料对其服役行为的影响第41-61页
    4.1 引言第41页
    4.2 不同辐照环境样品表面形貌、化学状态和氘滞留行为分析第41页
    4.3 不同能量低能氮离子预先辐照钨块对氘滞留行为的影响第41-49页
        4.3.1 不同能量氮离子辐照钨块后XPS分析第42-43页
        4.3.2 氘辐照前后不同能量氮离子预先辐照钨块表面形貌变化第43-45页
        4.3.3 氘滞留行为研究第45-49页
    4.4 高能氮离子预先辐照钨块第49-50页
    4.5 氘等离子体辐照高能氮离子预先辐照的钨块第50页
    4.6 不同能量高能氮离子预先辐照钨块对氘滞留行为的影响第50-59页
        4.6.1 SRIM程序模拟高能氮离子辐照钨块后对钨块的辐照损伤第50-53页
        4.6.2 氘辐照前后氮预先辐照钨块表面形貌的变化第53-55页
        4.6.3 不同能量高能氮离子预先辐照钨块对氘滞留行为的影响第55-59页
    4.7 本章小结第59-61页
第五章 不同等离子体参数辐照钨材料服役行为研究第61-68页
    5.1 引言第61页
    5.2 不同辐照环境样品表面形貌和氘滞留行为分析第61页
    5.3 不同氮含量氘氮共同辐照第61-63页
        5.3.1 表面形貌第61-62页
        5.3.2 不同氮含量氘氮共同辐照后氘滞留行为的变化第62-63页
    5.4 不同辐照温度对氮离子预先辐照钨块中氘滞留的影响第63-66页
        5.4.1 表面形貌第64页
        5.4.2 不同辐照温度对氮离子预先辐照钨块中氘滞留行为的影响第64-66页
    5.5 本章小结第66-68页
结论第68-70页
参考文献第70-77页
致谢第77-78页
附录A 攻读学位期间发表的学术论文第78页

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