基于MEMS技术的128×128阵列F-P腔可调谐红外滤波器设计与制备研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-33页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 成像光谱技术的基本原理 | 第11-16页 |
| 1.3 高光谱传感器 | 第16-22页 |
| 1.4 成像光谱技术发展趋势及探测技术新概念 | 第22-24页 |
| 1.5 新型高光谱成像光谱仪国内外研究概况 | 第24-31页 |
| 1.6 本论文的研究内容及主要贡献 | 第31-33页 |
| 2 F-P腔滤波器用于成像系统整体设计 | 第33-44页 |
| 2.1 成像光谱仪的系统设计 | 第33-36页 |
| 2.2 滤波分光及光电传感器 | 第36-38页 |
| 2.3 F-P腔可调谐滤波器的设计 | 第38-43页 |
| 2.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 3 设计与仿真F-P腔滤波器的结构 | 第44-65页 |
| 3.1 MEMS的F-P腔滤波器工作原理 | 第44-46页 |
| 3.2 结构设计与仿真 | 第46-49页 |
| 3.3 微结构静电力 | 第49-52页 |
| 3.4 微桥结构 | 第52-63页 |
| 3.5 本章小结 | 第63-65页 |
| 4 F-P腔滤波器光学设计 | 第65-74页 |
| 4.1 光学薄膜理论基础 | 第65-68页 |
| 4.2 DBR高反膜的设计 | 第68-71页 |
| 4.3 F-P腔滤波效果的设计 | 第71-73页 |
| 4.4 本章小结 | 第73-74页 |
| 5 工艺制备 | 第74-92页 |
| 5.1 制作工艺流程 | 第74-75页 |
| 5.2 剥离工艺(lift-off) | 第75-76页 |
| 5.3 磁控溅射生长结构层 | 第76-82页 |
| 5.4 DBR光学薄膜的制备 | 第82-86页 |
| 5.5 牺牲层技术 | 第86-91页 |
| 5.6 本章小结 | 第91-92页 |
| 6 性能测试及讨论 | 第92-106页 |
| 6.1 样品的SEM图片 | 第92-94页 |
| 6.2 样品芯片电阻测试 | 第94-95页 |
| 6.3 电可调性能 | 第95-98页 |
| 6.4 力学结构性能及F-P腔调谐范围测试 | 第98-103页 |
| 6.5 光学性能测试 | 第103-105页 |
| 6.6 本章小结 | 第105-106页 |
| 7 总结与展望 | 第106-109页 |
| 7.1 总结 | 第106-107页 |
| 7.2 展望 | 第107-109页 |
| 致谢 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-122页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表论文目录 | 第122-123页 |
| 附录2 攻读博士学位期间发明专利目录 | 第123页 |
