摘要 | 第5-6页 |
abstract | 第6-7页 |
第1章 文献综述 | 第11-25页 |
1.1 课题的研究背景及意义 | 第11-12页 |
1.2 半导体的光催化原理 | 第12-14页 |
1.3 半导体光催化性能的影响因素 | 第14-17页 |
1.3.1 光催化自身性质 | 第14-16页 |
1.3.2 光催化反应条件 | 第16-17页 |
1.4 提升半导体光催化剂性能的方法 | 第17-20页 |
1.4.1 掺杂 | 第17-18页 |
1.4.2 复合 | 第18-19页 |
1.4.3 金属负载 | 第19-20页 |
1.4.4 半导体的光敏化 | 第20页 |
1.5 本论文中涉及的光催化剂的简介 | 第20-22页 |
1.5.1 Bi_2WO_6光催化剂及其研究进展 | 第21-22页 |
1.5.2 Bi_2MoO_6光催化剂及其研究进展 | 第22页 |
1.6 导电聚合物的简介 | 第22-23页 |
1.7 本论文的内容和意义 | 第23-25页 |
第2章 实验部分 | 第25-28页 |
2.1 实验药品 | 第25页 |
2.2 实验所需仪器简介 | 第25-27页 |
2.2.1 紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS) | 第25-26页 |
2.2.2 X射线衍射(XRD) | 第26页 |
2.2.3 傅里叶红外光谱(FT-IR) | 第26页 |
2.2.4 透射电子显微镜(TEM) | 第26页 |
2.2.5 光催化性能测试 | 第26-27页 |
2.3 样品制备方法 | 第27-28页 |
2.3.1 低温燃烧合成法简介 | 第27页 |
2.3.2 水热法简介 | 第27-28页 |
第3章 P3HT杂化Bi_2WO_6的光催化性能研究 | 第28-34页 |
3.1 本章引论 | 第28页 |
3.2 样品制备 | 第28-29页 |
3.2.1 Bi_2WO_6的制备 | 第28页 |
3.2.2 P3HT/Bi_2WO_6的制备 | 第28-29页 |
3.3 P3HT/Bi_2WO_6杂化催化剂的表征 | 第29-31页 |
3.3.1 XRD分析 | 第29页 |
3.3.2 TEM形貌 | 第29-30页 |
3.3.3 UV-Vis漫反射光谱 | 第30-31页 |
3.3.4 红外光谱分析 | 第31页 |
3.4 P3HT/Bi_2WO_6杂化催化剂光催化活性 | 第31-32页 |
3.5 P3HT/Bi_2WO_6活性提高机制 | 第32-33页 |
3.6 本章小结 | 第33-34页 |
第4章 P3HT杂化Bi_2MoO_6的光催化性能研究 | 第34-41页 |
4.1 本章引论 | 第34页 |
4.2 样品制备 | 第34-35页 |
4.2.1 Bi_2MoO_6的制备 | 第34-35页 |
4.2.2 P3HT/Bi_2WO_6的制备 | 第35页 |
4.3 P3HT/Bi_2WO_6杂化催化剂的表征 | 第35-37页 |
4.3.1 XRD分析 | 第35页 |
4.3.2 TEM形貌 | 第35-36页 |
4.3.3 UV-Vis漫反射光谱 | 第36-37页 |
4.3.4 红外光谱分析 | 第37页 |
4.4 P3HT/Bi_2WO_6杂化催化剂光催化活性 | 第37-39页 |
4.4.1 RhB的降解 | 第37-38页 |
4.4.2 捕获剂实验 | 第38-39页 |
4.5 P3HT/Bi_2WO_6活性提高机制 | 第39-40页 |
4.6 本章小结 | 第40-41页 |
第5章 PT杂化Bi_2MoO_6的光催化性能研究 | 第41-48页 |
5.1 本章引论 | 第41页 |
5.2 样品制备 | 第41-42页 |
5.2.1 Bi_2MoO_6的制备 | 第41-42页 |
5.2.2 PT/Bi_2MoO_6的制备 | 第42页 |
5.3 PT/Bi_2MoO_6杂化催化剂的表征 | 第42-44页 |
5.3.1 XRD分析 | 第42页 |
5.3.2 TEM形貌 | 第42-43页 |
5.3.3 UV-Vis漫反射光谱 | 第43-44页 |
5.3.4 红外光谱分析 | 第44页 |
5.4 PT/Bi_2MoO_6杂化催化剂光催化活性 | 第44-46页 |
5.4.1 RhB的降解 | 第44-45页 |
5.4.2 捕获剂实验 | 第45-46页 |
5.5 PT/Bi_2MoO_6活性提高机制 | 第46-47页 |
5.6 本章小结 | 第47-48页 |
第6章 结论 | 第48-50页 |
致谢 | 第50-51页 |
参考文献 | 第51-62页 |
攻读学位期间发表的学术论文和专利 | 第62页 |