甲胺铅类钙钛矿材料的基础性质及界面研究
中文摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-15页 |
1.1 引言 | 第10-11页 |
1.2 有机光电子器件 | 第11-12页 |
1.2.1 OPV和OLED的工作原理 | 第11-12页 |
1.3 钙钛矿太阳能电池 | 第12-14页 |
1.3.1 钙钛矿材料介绍 | 第12-13页 |
1.3.2 钙钛矿太阳能电池的进展 | 第13-14页 |
1.4 课题内容与研究意义 | 第14-15页 |
第二章 界面相关理论与表征技术 | 第15-29页 |
2.1 电子结构理论简介 | 第15-17页 |
2.2 界面能级对齐 | 第17-21页 |
2.2.1 界面相互作用 | 第17-19页 |
2.2.2 界面能级对齐 | 第19-21页 |
2.3 光电子能谱技术 | 第21-29页 |
2.3.1 光电子能谱技术简介 | 第21-25页 |
2.3.2 元素的定性分析与定量计算 | 第25-26页 |
2.3.3 外层电子结构分析 | 第26-29页 |
第三章 钙钛矿薄膜制备探索与优化 | 第29-47页 |
3.1 引言 | 第29-31页 |
3.2 MAPbI_3薄膜制备条件探索 | 第31-35页 |
3.2.1 溶液浓度与旋涂速率对形貌的影响 | 第31-33页 |
3.2.2 退火条件对形貌的影响 | 第33-35页 |
3.3 温度对MAPbX_3的影响 | 第35-41页 |
3.3.1 温度对MAPbX_3晶体结构的影响 | 第35-36页 |
3.3.2 温度对MAPbX_3光吸收的影响 | 第36-37页 |
3.3.3 温度对MAPbX_3电子结构的影响 | 第37-41页 |
3.4 实验数据 | 第41-45页 |
3.5 本章小结 | 第45-47页 |
第四章 卤素组成对钙钛矿电子结构的影响 | 第47-62页 |
4.1 引言 | 第47-48页 |
4.2 卤素取代对钙钛矿薄膜形貌和晶体结构的影响 | 第48-51页 |
4.2.1 卤素配比的测定 | 第48-49页 |
4.2.2 卤素取代对钙钛矿表面形貌的影响 | 第49-50页 |
4.2.3 卤素取代对钙钛矿晶体的影响 | 第50-51页 |
4.3 卤素取代对钙钛矿薄膜电子结构和能隙的影响 | 第51-56页 |
4.4 实验数据 | 第56-60页 |
4.5 本章小结 | 第60-62页 |
第五章 钙钛矿/有机材料界面研究 | 第62-76页 |
5.1 引言 | 第62-66页 |
5.2 APbI_3与有机材料的界面 | 第66-73页 |
5.2.1 APbI_3与C_(60)的界面 | 第66-68页 |
5.2.2 APbI_3与CBP的界面 | 第68-69页 |
5.2.3 APbI_3与Alq_3的界面 | 第69-73页 |
5.3 钙钛矿/有机能级图 | 第73-75页 |
5.4 本章小结 | 第75-76页 |
第六章 全文总结与展望 | 第76-78页 |
参考文献 | 第78-89页 |
攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第89-91页 |
致谢 | 第91-92页 |