| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 电磁诱导透明效应 | 第8-9页 |
| 1.2 半导体中声子及其弛豫 | 第9-10页 |
| 1.3 半导体量子阱原理、结构及制备方法 | 第10-14页 |
| 1.4 本文主要理论与研究方法 | 第14-15页 |
| 第2章 级联型三能级量子阱中的光孤子行为 | 第15-24页 |
| 2.1 引言 | 第15-16页 |
| 2.2 级联型三能级半导体量子阱模型及其光孤子解 | 第16-20页 |
| 2.3 纵波光学声子耦合强度对体系孤子的类型影响 | 第20-21页 |
| 2.4 纵波光学声子耦合强度对体系孤子群速度的影响 | 第21-22页 |
| 2.5 本章小结 | 第22-24页 |
| 第3章N型四能级非对称半导体量子阱中的高阶孤子性质 | 第24-35页 |
| 3.1 引言 | 第24-25页 |
| 3.2. N型四能级半导体量子阱模型及其渐进展开 | 第25-29页 |
| 3.3 时间光孤子特性 | 第29-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 第4章 总结与展望 | 第35-37页 |
| 4.1 全文总结 | 第35页 |
| 4.2 工作展望 | 第35-37页 |
| 参考文献 | 第37-41页 |
| 致谢 | 第41-42页 |
| 个人简历及攻读硕士学位期间完成的学术论文 | 第42页 |