| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 氮化碳的研究背景 | 第10-20页 |
| 1.1 有关氮化碳的历史 | 第10-12页 |
| 1.2 石墨相氮化碳的结构和性质 | 第12-13页 |
| 1.3 其他主要含碳、氮的材料 | 第13-18页 |
| 1.3.1 层状C_2N和C_3N晶体材料 | 第13-14页 |
| 1.3.2 melon结构的氮化碳材料 | 第14-15页 |
| 1.3.3 PTI结构的氮化碳材料 | 第15-16页 |
| 1.3.4 Covalent triazine frameworks | 第16-17页 |
| 1.3.5 Nitrogen-doped graphene | 第17-18页 |
| 1.4 氮化碳的制备方法和应用 | 第18页 |
| 1.5 本文研究思路 | 第18-20页 |
| 第2章 液相剥离CN纳米片及SPM等表面研究 | 第20-40页 |
| 2.1 研究背景 | 第20-23页 |
| 2.1.1 热剥离法 | 第21页 |
| 2.1.2 液相剥离法 | 第21-23页 |
| 2.2 实验研究过程 | 第23-25页 |
| 2.2.1 试剂与仪器 | 第23页 |
| 2.2.2 实验过程 | 第23-25页 |
| 2.3 实验结果分析 | 第25-38页 |
| 2.3.1 热聚合法制备体相CN | 第25-27页 |
| 2.3.2 液相剥离法制备CN纳米片 | 第27-32页 |
| 2.3.3 AFM研究不同衬底上的CN纳米片 | 第32-36页 |
| 2.3.4 STM研究液相剥离的氮化碳 | 第36-38页 |
| 2.4 本章小结 | 第38-40页 |
| 第3章 CVD法在Cu箔表面制备氮化碳薄膜 | 第40-58页 |
| 3.1 研究背景 | 第40-45页 |
| 3.1.1 氮掺杂石墨烯研究进展 | 第42-43页 |
| 3.1.2 CVD法生长氮掺杂石墨烯薄膜 | 第43-44页 |
| 3.1.3 氮掺杂石墨烯与石墨相氮化碳的联系 | 第44-45页 |
| 3.2 实验研究过程 | 第45-47页 |
| 3.2.1 实验材料 | 第45页 |
| 3.2.2 测试仪器 | 第45页 |
| 3.2.3 实验过程 | 第45-47页 |
| 3.3 实验结果分析 | 第47-56页 |
| 3.3.1 Cu foils未退火生长 | 第47-50页 |
| 3.3.2 Cu foils退火后非连续生长 | 第50-51页 |
| 3.3.3 Cu foils退火后连续生长 | 第51-54页 |
| 3.3.4 温度和压力对薄膜生长的影响 | 第54-56页 |
| 3.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第4章 预结晶法制备高晶化度氮化碳 | 第58-70页 |
| 4.1 研究背景 | 第58-61页 |
| 4.1.1 melon结构氮化碳材料 | 第58页 |
| 4.1.2 盐酸化处理得到晶体材料 | 第58-60页 |
| 4.1.3 实验设计思路 | 第60-61页 |
| 4.2 实验研究过程 | 第61-62页 |
| 4.2.1 实验试剂 | 第61页 |
| 4.2.2 实验仪器 | 第61页 |
| 4.2.3 实验过程 | 第61-62页 |
| 4.3 实验结果分析 | 第62-68页 |
| 4.3.1 melamine-HCl退火结果 | 第62-66页 |
| 4.3.2 melon-HCl退火结果 | 第66-67页 |
| 4.3.3 真空固相反应 | 第67-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第82页 |