| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 导论 | 第7-15页 |
| ·选题的背景及研究意义 | 第7-9页 |
| ·问题产生的背景 | 第7-8页 |
| ·本文选题的目的 | 第8页 |
| ·研究价值和意义 | 第8-9页 |
| ·二维半导体材料的发展 | 第9-13页 |
| ·二维半导体材料的研究进展 | 第9-11页 |
| ·二维半导体材料的优点 | 第11-12页 |
| ·二维半导体材料研究中存在的问题 | 第12-13页 |
| ·本文的内容结构及方法 | 第13-15页 |
| ·本文主要的研究工作 | 第13页 |
| ·本文研究的主要方法 | 第13-14页 |
| ·本文的整体结构及框架 | 第14-15页 |
| 第二章 研究的相关理论基础 | 第15-29页 |
| ·电子结构计算理论 | 第15-22页 |
| ·主要近似方法 | 第15-16页 |
| ·密度泛函理论 | 第16-20页 |
| ·交换关联泛函及赝势方法 | 第20-22页 |
| ·slab模型以及参数测试 | 第22-25页 |
| ·slab模型 | 第22-23页 |
| ·截断能测试 | 第23-24页 |
| ·K点测试 | 第24-25页 |
| ·计算中的相关性质原理、软件及技术条件 | 第25-28页 |
| ·相关性质计算 | 第25-26页 |
| ·计算软件 | 第26-27页 |
| ·计算技术条件及可靠性 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 g-C_3N_4与金属和非金属复合结构的电子转移研究 | 第29-41页 |
| ·g-C_3N_4与金属复合结构的研究 | 第29-34页 |
| ·g-C_3N_4的结构 | 第29-30页 |
| ·模型与计算细节 | 第30-31页 |
| ·复合体系的电子结构及吸收光谱分析 | 第31-34页 |
| ·g-C_3N_4与非金属的复合结构研究 | 第34-36页 |
| ·Graphene@g-C_3N_4的研究背景 | 第34-35页 |
| ·计算模型与细节 | 第35页 |
| ·复合体系的几何结构 | 第35-36页 |
| ·Graphene@g-C_3N_4及S原子取代N原子后的光电性质研究 | 第36-40页 |
| ·S原子掺杂Graphene@g-C_3N_4前后对石墨烯带隙的影响 | 第36-38页 |
| ·S原子掺杂Graphene@g-C_3N_4复合结构的电子转移研究 | 第38-39页 |
| ·吸收光谱分析 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 黒磷P原子的缺失与取代的研究 | 第41-53页 |
| ·本文所研究的黒磷 | 第41-43页 |
| ·黑磷的结构 | 第41-42页 |
| ·黒磷的性质 | 第42-43页 |
| ·模型与计算方法 | 第43页 |
| ·缺失P原子对黒磷电子结构及性质的影响 | 第43-47页 |
| ·缺失P原子后黒磷的几何结构和稳定性 | 第44-45页 |
| ·缺失一个P原子对黒磷电子结构及性质的影响 | 第45页 |
| ·缺失两个P原子对黒磷电子结构及性质的影响 | 第45-47页 |
| ·S原子取代P原子后对黒磷电子结构及性质的影响 | 第47-52页 |
| ·P原子被S原子取代后的几何结构和稳定性 | 第47-48页 |
| ·一个P原子被取代后对黒磷电子结构及性质的影响 | 第48-49页 |
| ·两个P原子被取代后对黒磷电子结构及性质的影响 | 第49-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 总结和展望 | 第53-59页 |
| ·研究内容和成果 | 第53-55页 |
| ·研究内容总结 | 第53-54页 |
| ·取得的成果和结论 | 第54-55页 |
| ·本文的创新点及意义 | 第55-57页 |
| ·本文研究的创新点 | 第55-56页 |
| ·本文研究的意义 | 第56-57页 |
| ·进一步的研究与展望 | 第57-59页 |
| ·有待深入研究的问题 | 第57页 |
| ·研究展望 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 附录 | 第65-66页 |
