中文摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-9页 |
第一章 绪论 | 第9-32页 |
·石墨烯表面等离子体的研究进展概述 | 第9-20页 |
·石墨烯表面等离子体的基本原理 | 第9-11页 |
·石墨烯表面等离子体的观测方法 | 第11-16页 |
·石墨烯表面等离子体的应用 | 第16-20页 |
·MOS2简介 | 第20-22页 |
·MoS_2的能带结构 | 第20-21页 |
·MoS_2的光学性质 | 第21-22页 |
·散射式近场光学显微镜 | 第22-29页 |
·散射式近场光学显微镜的简介 | 第22-23页 |
·散射式近场光学显微镜的工作原理 | 第23-26页 |
·散射式近场光学显微镜的应用 | 第26-29页 |
·选题的意义和研究的内容 | 第29-32页 |
·选题的意义 | 第29-30页 |
·研究的内容 | 第30-32页 |
第二章 CVD法生长的石墨烯的等离子体特性研究 | 第32-47页 |
·引言 | 第32-33页 |
·实验部分 | 第33-36页 |
·样品制备 | 第33-35页 |
·样品表征 | 第35-36页 |
·S-SNOM的测试结果与讨论 | 第36-46页 |
·石墨烯纳米结构 | 第36-44页 |
·不同手性的石墨烯 | 第44-45页 |
·不同晶粒尺寸的多晶石墨烯薄膜 | 第45-46页 |
·本章小结 | 第46-47页 |
第三章 其他方法制备的石墨烯纳米结构的等离子体特性研究 | 第47-59页 |
·引言 | 第47-48页 |
·实验部分 | 第48-51页 |
·样品制备 | 第48-50页 |
·样品表征 | 第50-51页 |
·结果与讨论 | 第51-57页 |
·纳米剪切结合机械剥离法制备石墨烯纳米结构 | 第51-53页 |
·纳米剪切结合CVD法制备石墨烯纳米结构 | 第53-55页 |
·利用r-PECVD法制备纳米石墨烯 | 第55-57页 |
·本章小结 | 第57-59页 |
第四章 MoS_2的近场光学特性研究 | 第59-69页 |
·引言 | 第59-60页 |
·实验部分 | 第60-61页 |
·样品制备 | 第60页 |
·样品表征 | 第60-61页 |
·实验结果与讨论 | 第61-67页 |
·单层六角星形MoS_2晶体的表征结果 | 第61-64页 |
·多层六角花瓣状MoS_2晶体的表征结果 | 第64-65页 |
·单层与多层MoS_2晶体表征结果的对比分析 | 第65-67页 |
·本章小结 | 第67-69页 |
第五章 总结与展望 | 第69-71页 |
·全文总结 | 第69-70页 |
·展望 | 第70-71页 |
参考文献 | 第71-82页 |
攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第82-83页 |
致谢 | 第83-85页 |