射频磁控溅射制备TaN薄膜及其性能研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·TaN的结构与应用 | 第10-13页 |
| ·TaN的结构 | 第10-11页 |
| ·TaN薄膜的应用 | 第11-13页 |
| ·TaN薄膜的制备方法 | 第13-17页 |
| ·溅射法 | 第13-14页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第14-15页 |
| ·原子层沉积法(ALD) | 第15-16页 |
| ·离子束辅助沉积(IBAD) | 第16-17页 |
| ·材料的传热机理 | 第17-20页 |
| ·物质热传递概述 | 第17页 |
| ·分子导热机理 | 第17页 |
| ·电子导热机理 | 第17-18页 |
| ·声子导热机理 | 第18-19页 |
| ·光子导热机理 | 第19-20页 |
| ·TaN薄膜的国内外研究进展 | 第20-21页 |
| ·课题的目的、意义和内容 | 第21-22页 |
| 第2章 TaN薄膜的制备及表征方法 | 第22-39页 |
| ·样品制备 | 第22-30页 |
| ·直流溅射原理 | 第22-23页 |
| ·射频磁控溅射原理 | 第23-24页 |
| ·辉光放电 | 第24-26页 |
| ·溅射产额及其影响因素 | 第26-30页 |
| ·实验装置及操作流程 | 第30-33页 |
| ·实验装置 | 第30-31页 |
| ·靶材与基底选择 | 第31页 |
| ·基本研究路线 | 第31-32页 |
| ·实验主要工艺参数 | 第32页 |
| ·实验具体操作流程 | 第32-33页 |
| ·实验表征 | 第33-39页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第33-34页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第34-35页 |
| ·薄膜激光热导仪 | 第35-39页 |
| 第3章 沉积参数对TaN薄膜性能的影响 | 第39-59页 |
| ·溅射功率对于TaN薄膜性能的影响 | 第39-46页 |
| ·溅射功率对于TaN薄膜沉积速率的影响 | 第40-41页 |
| ·溅射功率对TaN薄膜结构的影响 | 第41-42页 |
| ·溅射功率对TaN薄膜表面粗糙度的影响 | 第42-44页 |
| ·溅射功率对TaN薄膜热扩散系数的影响 | 第44-46页 |
| ·溅射压强对于TaN薄膜性能的影响 | 第46-52页 |
| ·溅射压强对TaN薄膜沉积速率的影响 | 第47-48页 |
| ·溅射压强对TaN薄膜结构的影响 | 第48-49页 |
| ·溅射压强对TaN薄膜表面粗糙度的影响 | 第49-51页 |
| ·溅射压强对TaN薄膜热扩散系数的影响 | 第51-52页 |
| ·基底温度对TaN薄膜性能的影响 | 第52-59页 |
| ·基底温度对TaN薄膜沉积速率的影响 | 第53-54页 |
| ·基底温度对TaN薄膜结构的影响 | 第54-55页 |
| ·基底温度对TaN薄膜表面粗糙度的影响 | 第55-57页 |
| ·基底温度对TaN薄膜热扩散系数的影响 | 第57-59页 |
| 第4章 总结与展望 | 第59-61页 |
| ·总结 | 第59-60页 |
| ·展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第66页 |
