纳米压印GaN图形化衬底MBE制备GaN纳米柱

摘要	第1-6页
ABSTRACT	第6-10页
1 绪论	第10-22页
·GaN 材料的性质	第10-15页
·GaN 材料的制备	第15-17页
·分子束外延（MBE）技术	第15-16页
·金属有机化学气相外延（MOCVD）技术	第16页
·原子束（ALE）外延技术	第16页
·氢化物气相外延（HVPE）技术	第16-17页
·GaN 纳米材料的优势和应用	第17-21页
·GaN 纳米材料的研究进展	第18-20页
·GaN 纳米材料的应用	第20-21页
·本文的主要研究工作	第21-22页
2. 纳米压印的原理和分类	第22-31页
·纳米压印	第22-23页
·纳米压印的分类及原理	第23-27页
·热纳米压印	第23-24页
·紫外固化纳米压印	第24-25页
·微接触纳米压印	第25-26页
·三种方法的比较	第26-27页
·纳米压印技术的发展和挑战	第27-31页
3. 分子束外延和表征	第31-41页
·分子束外延	第31-36页
·分子束外延的原理及应用	第32-36页
·材料表征	第36-41页
·反射高能电子衍射（RHEED）	第36-37页
·X 射线衍射（XRD）	第37-38页
·扫描电子显微镜（SEM）	第38-39页
·光致发光（PL）谱	第39-41页
4. MBE 生长 GaN 纳米柱	第41-54页
·制备图形化衬底	第41-43页
·MBE 同质外延生长 GaN 纳米柱	第43-48页
·GaN 纳米柱生长动力学分析	第48-50页
·GaN 纳米花	第50-54页
5．全文总结与展望	第54-56页
参考文献	第56-62页
附录 A：作者攻读硕士学位期间发表的论文情况	第62-63页
致谢	第63页