磁控溅射镀膜机的结构设计及CIGS薄膜均匀性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-12页 |
| 第二章 文献综述 | 第12-32页 |
| ·铜铟镓硒薄膜太阳电池简介 | 第12-16页 |
| ·铜铟镓硒太阳电池的优势 | 第12页 |
| ·铜铟镓硒太阳电池的结构 | 第12-14页 |
| ·基底的选择 | 第12-13页 |
| ·Mo背电极 | 第13页 |
| ·CIGS吸收层 | 第13-14页 |
| ·CdS缓冲层 | 第14页 |
| ·ZnO窗口层 | 第14页 |
| ·Ni/Al顶电极 | 第14页 |
| ·MgF_2减反射层 | 第14页 |
| ·铜铟镓硒太阳电池工作机理 | 第14-15页 |
| ·铜铟镓硒太阳电池的研究现状 | 第15-16页 |
| ·CIGS薄膜简介 | 第16-19页 |
| ·CIGS薄膜的结构与性能 | 第16-17页 |
| ·CIGS薄膜的制备工艺 | 第17-19页 |
| ·真空共蒸法 | 第17-18页 |
| ·溅射后硒化法 | 第18页 |
| ·电化学沉积法 | 第18页 |
| ·丝网印刷法 | 第18页 |
| ·喷涂热解法 | 第18-19页 |
| ·分子束外延法 | 第19页 |
| ·磁控溅射技术简介 | 第19-25页 |
| ·二极溅射原理 | 第19-20页 |
| ·磁控溅射理论原理 | 第20-22页 |
| ·磁控溅射镀膜工作原理 | 第22-23页 |
| ·薄膜的生长 | 第23页 |
| ·影响磁控溅射法薄膜生长的因素 | 第23-25页 |
| ·溅射气体 | 第24页 |
| ·基片温度 | 第24页 |
| ·靶材和磁场分布 | 第24页 |
| ·靶-基距选择 | 第24页 |
| ·溅射功率密度 | 第24页 |
| ·本底真空度 | 第24-25页 |
| ·溅射工作气压 | 第25页 |
| ·磁控溅射镀膜的分类 | 第25页 |
| ·真空溅射设备设计原理简介 | 第25-31页 |
| ·真空室设计原理 | 第25页 |
| ·矩形平面靶的基本结构 | 第25-28页 |
| ·传动与布气 | 第28页 |
| ·加热与冷却 | 第28-29页 |
| ·真空设备选型要求 | 第29-30页 |
| ·电源选型原则 | 第30页 |
| ·监测控制系统 | 第30页 |
| ·控制面板 | 第30-31页 |
| ·课题的研究意义与创新之处 | 第31-32页 |
| 第三章 真空磁控溅射设备设计 | 第32-43页 |
| ·真空室的设计 | 第32-35页 |
| ·靶材的设计 | 第35-39页 |
| ·加热与冷却设计 | 第39页 |
| ·传动与布气设计 | 第39页 |
| ·设备选型 | 第39-40页 |
| ·电源选型 | 第40-41页 |
| ·监测及控制设备选型 | 第41页 |
| ·操作面板设计 | 第41-42页 |
| ·设备操作流程 | 第42页 |
| ·设计总结 | 第42-43页 |
| 第四章 实验部分 | 第43-48页 |
| ·实验药品及仪器设备 | 第43-44页 |
| ·衬底材料的准备 | 第44页 |
| ·铜铟镓硒薄膜的制备 | 第44-45页 |
| ·工艺参数 | 第45-46页 |
| ·分析测试方法 | 第46-47页 |
| ·组分分析 | 第46页 |
| ·物相结构分析 | 第46页 |
| ·微观形貌分析 | 第46-47页 |
| ·CIGS薄膜光电性能测试 | 第47页 |
| ·方块电阻测试 | 第47页 |
| ·光学性能测试 | 第47页 |
| ·禁带宽度测试 | 第47页 |
| ·结构和性能的分区-选区表征 | 第47-48页 |
| 第五章 结果与讨论 | 第48-55页 |
| ·CIGS薄膜结构的均匀性分析 | 第48-51页 |
| ·CIGS薄膜膜厚及组分分析 | 第48-49页 |
| ·CIGS薄膜物相分析 | 第49-50页 |
| ·CIGS表面形貌分析 | 第50-51页 |
| ·CIGS薄膜性能的均匀性分析 | 第51-55页 |
| ·CIGS薄膜方块电阻的测试分析 | 第51-52页 |
| ·方块电阻测试 | 第51-52页 |
| ·横向与纵向方块电阻均匀性分析 | 第52页 |
| ·CIGS薄膜光学性能的测试分析 | 第52-55页 |
| 第六章 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 附录A 攻读硕士期间发表的论文及成果 | 第61页 |
