| CONTESTS | 第1-8页 |
| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| ·前言 | 第12-13页 |
| ·纳米电子器件研究现状 | 第13-20页 |
| ·纳米线电子器件 | 第13-16页 |
| ·CNT电子器件 | 第16-19页 |
| ·纳米量子电子器件 | 第19-20页 |
| ·本课题提出的意义和主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 计算方法 | 第22-32页 |
| ·引言 | 第22页 |
| ·经典分子动力学模拟 | 第22-26页 |
| ·分子动力学运动方程及数值积分 | 第23-24页 |
| ·初始条件设置 | 第24-25页 |
| ·原子间相互作用势的选取 | 第25-26页 |
| ·非平衡格林函数 | 第26-30页 |
| ·格林函数定义 | 第26-27页 |
| ·电子器件中非平衡格林函数 | 第27-29页 |
| ·非相干散射作用 | 第29-30页 |
| ·扩展休克尔理论和广义梯度近似简介 | 第30-32页 |
| 第三章 替代原子对硅纳米线器件电子输运性质的影响 | 第32-48页 |
| ·前言 | 第32-33页 |
| ·研究方法 | 第33-36页 |
| ·结果和讨论 | 第36-46页 |
| ·替代原子的位置和种类对电子输运性质的影响 | 第36-38页 |
| ·门电压对A5-7纳米线器件电子输运特性曲线的影响 | 第38-41页 |
| ·门电压对B3-7纳米线器件电子输运特性曲线的影响 | 第41-44页 |
| ·低源漏电压下器件的电子输运特性 | 第44-46页 |
| ·总结 | 第46-48页 |
| 第四章 BNNT-CNT异质器件电子输运性质研究 | 第48-68页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·研究方法 | 第49-51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-66页 |
| ·CNT-nBNNT-CNT双极电子器件电子输运性质 | 第51-55页 |
| ·CNT-BN(C)NT-CNT双极电子器件电学性质研究 | 第55-62页 |
| ·不同键合类型对电子输运性质的影响 | 第62-64页 |
| ·CNT-(BN)n(C)mNT-CNT双极电子器件电学性质研究 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 总结与展望 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-84页 |
| 致谢 | 第84-86页 |
| 附录 | 第86-87页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第87页 |
