摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-9页 |
第一章 绪论 | 第9-15页 |
·选题背景及研究意义 | 第9-10页 |
·CMOS 功放的特点及研究现状 | 第10-12页 |
·本文的主要工作 | 第12页 |
·论文的章节结构 | 第12-15页 |
第二章 CMOS 功率放大器的设计基础 | 第15-33页 |
·微波电路的分析方法及 CMOS 工艺器件模型 | 第15-18页 |
·微波非线性电路的分析方法 | 第15-16页 |
·CMOS 工艺中的有源器件模型 | 第16-17页 |
·CMOS 工艺无源器件模型 | 第17-18页 |
·功率放大器的分类 | 第18-21页 |
·A 类功率放大器 | 第18页 |
·B 类放大器 | 第18-19页 |
·C 类放大器 | 第19页 |
·AB 类放大器 | 第19页 |
·D 类放大器 | 第19-20页 |
·E 类放大器 | 第20页 |
·F 类放大器 | 第20-21页 |
·单级功率放大器设计 | 第21-23页 |
·稳定电路的设计 | 第21-22页 |
·匹配电路的设计 | 第22-23页 |
·直流偏置电路设计 | 第23页 |
·功率放大器的性能指标 | 第23-26页 |
·带宽 | 第23-24页 |
·功率增益 | 第24页 |
·增益平坦度 | 第24页 |
·效率 | 第24-25页 |
·输出 1dB 功率压缩点( P_(1dB)) | 第25页 |
·三阶交调失真度 IMD3 | 第25-26页 |
·功率放大器的线性化技术 | 第26-29页 |
·功率回退法 | 第26-27页 |
·负反馈 | 第27页 |
·前馈法 | 第27-28页 |
·预失真法 | 第28页 |
·包络消除与恢复技术(EER) | 第28-29页 |
·使用非线性元件实现线性放大(LINC) | 第29页 |
·功率合成技术 | 第29-31页 |
·本章小结 | 第31-33页 |
第三章 高效率 F类放大器的设计 | 第33-53页 |
·谐波调谐放大器的性能分析 | 第33-37页 |
·理想的 A 类放大器性能 | 第33页 |
·负载调谐放大器(Tuned Load Amplifier)的性能分析 | 第33-35页 |
·谐波调谐放大器(Harmonic Tuning Amplifier)的性能分析 | 第35-37页 |
·高效率 F 类放大器的设计 | 第37-47页 |
·射频晶体管的栅宽和栅长选择 | 第38页 |
·直流偏置点的选择及偏置电路的设计 | 第38-40页 |
·稳定电路的设计 | 第40-41页 |
·谐波调谐电路的设计 | 第41-47页 |
·微带 F 类放大器的仿真结果及分析 | 第47-52页 |
·本章小结 | 第52-53页 |
第四章 Doherty功率放大器的设计 | 第53-67页 |
·Doherty 功率放大器原理 | 第53-57页 |
·Doherty 放大器的组成 | 第53-54页 |
·有源负载调制效应 | 第54页 |
·Doherty 放大器的工作原理 | 第54-57页 |
·Doherty 放大器的设计 | 第57-62页 |
·自偏置共源共栅结构设计 | 第57-58页 |
·集总参数元件阻抗变换电路 | 第58-60页 |
·Doherty 放大器的整体电路结构 | 第60-62页 |
·Doherty 放大器的仿真结果及分析 | 第62-66页 |
·本章小结 | 第66-67页 |
第五章 结束语 | 第67-69页 |
·论文总结 | 第67页 |
·技术展望 | 第67-69页 |
致谢 | 第69-71页 |
参考文献 | 第71-74页 |