| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-23页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·SiC/SiN_x薄膜陷光结构的研究 | 第13-18页 |
| ·研究陷光结构的必要性 | 第13-14页 |
| ·陷光结构及陷光结构的光学特性 | 第14-15页 |
| ·陷光结构的发展与应用 | 第15-18页 |
| ·SiC/SiN_x 薄膜的性能与应用 | 第18页 |
| ·SiC/SiN_x薄膜陷光结构的制备方法 | 第18-20页 |
| ·SiC/SiN_x 薄膜陷光结构的化学制法 | 第19页 |
| ·SiC/SiN_x 薄膜陷光结构的物理制法 | 第19-20页 |
| ·SiC/SiN_x薄膜陷光结构研究的不足 | 第20-21页 |
| ·本文研究目的、意义和内容 | 第21-23页 |
| ·本文研究目的与意义 | 第21页 |
| ·本文主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 实验设计、样品制备与表征 | 第23-30页 |
| ·陷光结构的设计 | 第23-24页 |
| ·样品制备 | 第24-27页 |
| ·磁控溅射制备法及实验装置图 | 第24页 |
| ·基片预处理 | 第24-25页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第25页 |
| ·薄膜样品的制备方案 | 第25-27页 |
| ·样品性能测试与表征 | 第27-30页 |
| ·厚度 | 第27页 |
| ·表面形貌 | 第27-28页 |
| ·显微结构 | 第28页 |
| ·透射率 | 第28页 |
| ·显微硬度 | 第28-29页 |
| ·膜-基结合力 | 第29-30页 |
| 第三章 SiC/SiN_x薄膜制备工艺及微观结构特性分析 | 第30-59页 |
| ·工艺参数对薄膜生长速率的影响 | 第30-34页 |
| ·溅射功率对生长速率的影响 | 第30-32页 |
| ·溅射气压对生长速率的影响 | 第32-33页 |
| ·基底偏压对生长速率的影响 | 第33-34页 |
| ·工艺参数对薄膜表面形貌的影响 | 第34-45页 |
| ·溅射功率对 SiC/SiN_x薄膜表面形貌的影响 | 第35-39页 |
| ·溅射气压对 SiC/SiN_x薄膜表面形貌的影响 | 第39-43页 |
| ·基底偏压对 SiC/SiN_x薄膜表面形貌的影响 | 第43-45页 |
| ·SiC/SiN_x薄膜显微结构的研究 | 第45-47页 |
| ·SiC/SiN_x薄膜组织结构控制的验证 | 第47-56页 |
| ·SiC/SiN_x薄膜的光学性能 | 第47-53页 |
| ·SiC/SiN_x薄膜的显微硬度 | 第53-54页 |
| ·SiC/SiN_x薄膜的结合力 | 第54-55页 |
| ·SiC/SiN_x薄膜的减摩特性 | 第55-56页 |
| ·生长机理分析 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 外加磁场对陷光结构的优化和控制 | 第59-68页 |
| ·外加磁场对薄膜表面形貌的影响 | 第59-61页 |
| ·外加磁场后薄膜显微结构的研究 | 第61-62页 |
| ·外加磁场后薄膜组织结构控制的研究 | 第62-63页 |
| ·透射率的测试 | 第62-63页 |
| ·减摩特性的研究 | 第63页 |
| ·机理分析 | 第63-67页 |
| ·磁场的分布及磁场中的粒子运动的分析 | 第63-66页 |
| ·磁场中薄膜形核长大的机理研究 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 总结与展望 | 第68-70页 |
| ·主要结论 | 第68-69页 |
| ·后期研究展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及取得的相关科研成果 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
