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拓扑半金属HgCr2Se4晶体生长、结构及物性分析

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-7页
目录第7-9页
第一章 绪论第9-14页
   ·引言第9-10页
   ·自旋电子学第10-11页
   ·三维拓扑绝缘体第11-12页
   ·本文研究内容及意义第12-14页
第二章 样品制备及表征技术第14-23页
   ·高品质单晶制备第14-17页
     ·样品制备仪器第14-15页
     ·实验原料第15页
     ·制备方法及样品处理第15-17页
   ·测试技术及设备第17-23页
     ·结构分析第17-18页
     ·磁性测量第18-20页
     ·电输运和比热测量第20-23页
第三章 HGCR_2SE_4单晶的晶体结构、磁性和电输运性质第23-42页
   ·引言第23-25页
     ·磁性的基本理论和分类第23-25页
   ·实验过程第25-26页
   ·实验结果和讨论第26-41页
     ·晶体结构第26-28页
     ·磁化强度随温度变化关系第28-30页
     ·HgCr_2Se_4中的交换相互作用第30-33页
     ·不同温度下磁化强度随外磁场变化关系第33-34页
     ·电阻随温度变化关系第34-39页
     ·电阻随磁场变化关系第39-40页
     ·不同温度下的霍尔系数及载流子浓度第40-41页
   ·小结第41-42页
第四章 HGCR_2SE_4单晶的比热性质第42-53页
   ·引言第42-46页
     ·比热测量意义及分类第42-44页
     ·铬基尖晶石硫族化合物的磁基态及存在的疑问第44-46页
   ·实验过程第46页
   ·实验结果与讨论第46-52页
     ·比热与温度依赖关系第46-47页
     ·极低温比热研究第47-52页
   ·小结第52-53页
第五章 CDCR_2SE_4单晶的比热性质第53-60页
   ·引言第53-55页
   ·实验过程第55页
   ·实验结果与讨论第55-59页
     ·极低温交换相互作用第55-56页
     ·低温比热分析第56-59页
   ·小结第59-60页
第六章 结论与展望第60-62页
 结论第60-61页
 展望第61-62页
参考文献第62-66页
致谢第66-67页
攻读学位期间发表的学术论文第67页

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