六角氮化硼片带隙调制的第一性原理研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| ·氮化硼简介 | 第7-8页 |
| ·低维六角氮化硼纳米结构 | 第8-11页 |
| ·六角氮化硼纳米片 | 第9页 |
| ·六角氮化硼纳米带 | 第9-11页 |
| ·光催化剂研究概况 | 第11-13页 |
| ·光催化半导体作用机理及影响因素 | 第12页 |
| ·典型的光催化剂 | 第12-13页 |
| ·本文研究目的与内容 | 第13-14页 |
| 第二章 理论与方法 | 第14-22页 |
| ·基本近似 | 第14-17页 |
| ·非相对论近似 | 第14-15页 |
| ·绝热近似 | 第15-16页 |
| ·单电子近似 | 第16-17页 |
| ·密度泛函理论（DFT）简介 | 第17-21页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第17-18页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第18-19页 |
| ·交换关联相互作用 | 第19-21页 |
| ·赝势 | 第21-22页 |
| 第三章 外加电场调制双层氮化硼片带隙 | 第22-30页 |
| ·引言 | 第22页 |
| ·计算方法与模型 | 第22-24页 |
| ·计算结果与讨论 | 第24-29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| 第四章 应变下六角氮化硼片电子结构 | 第30-36页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·模型与计算方法 | 第30-31页 |
| ·计算方法 | 第30-31页 |
| ·模型 | 第31页 |
| ·结果及其讨论 | 第31-35页 |
| ·结构稳定性计算 | 第31-32页 |
| ·多层BN片的电子结构 | 第32-33页 |
| ·应变对多层BN片电子结构的影响 | 第33-35页 |
| ·小结 | 第35-36页 |
| 第五章 总结与展望 | 第36-38页 |
| ·工作总结 | 第36页 |
| ·工作展望 | 第36-38页 |
| 参考文献 | 第38-42页 |
| 致谢 | 第42-43页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文 | 第43页 |
