| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-27页 |
| ·纳米科技及材料 | 第10-11页 |
| ·有机纳米材料的制备及其光电特性 | 第11-22页 |
| ·有机小分子纳米材料 | 第11页 |
| ·有机半导体纳米线的制备 | 第11-16页 |
| ·有机纳米材料的光电特性 | 第16-22页 |
| ·纳米线的排布与组装 | 第22-24页 |
| ·本文的研究内容 | 第24-27页 |
| 第二章 实验设备与测试表征手段 | 第27-34页 |
| ·材料制备合成的实验仪器 | 第27-30页 |
| ·莱卡荧光光学显微镜 | 第27页 |
| ·等离子体系统 | 第27-28页 |
| ·原子层沉积系统（ALD） | 第28-29页 |
| ·电子束蒸发镀膜仪 | 第29页 |
| ·光刻系统 | 第29-30页 |
| ·双温区管式炉 | 第30页 |
| ·材料的测试和表征 | 第30-34页 |
| ·场发射透射电镜 | 第30-31页 |
| ·扫描电镜 | 第31-32页 |
| ·紫外可见近红外分光光度计 | 第32页 |
| ·扫描探针显微镜 | 第32页 |
| ·探针台及半导体测试分析仪 | 第32-34页 |
| 第三章 大面积图案化有机纳米线阵列的制备生长 | 第34-48页 |
| ·引言 | 第34-36页 |
| ·大面积图案化 P 型酞菁铜(CuPc)纳米线阵列的生长 | 第36-43页 |
| ·实验材料与仪器 | 第36页 |
| ·结果与讨论 | 第36-43页 |
| ·大面积 N 型氟化酞菁铜(F16CuPc)纳米线阵列的生长 | 第43-45页 |
| ·实验材料与仪器 | 第43-44页 |
| ·氟化酞菁铜纳米线阵列的制备 | 第44页 |
| ·氟化酞菁铜纳米线阵列的与表征及其生长机理 | 第44-45页 |
| ·大面积图案化 N 型苝四甲酸二酐（PTCDA）微纳米线阵列的制备 | 第45-46页 |
| ·实验材料与仪器 | 第45-46页 |
| ·苝四甲酸二酐（PTCDA）纳米线阵列的制备、形貌及其生长机理36 | 第46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 一步法构筑基于酞菁铜纳米线阵列的宽光谱集成图像传感器 | 第48-58页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·实验材料与仪器 | 第49页 |
| ·结果与讨论 | 第49-57页 |
| ·单根酞菁铜纳米线器件的制备及其测试 | 第49-50页 |
| ·酞菁铜纳米线阵列的宽光谱集成图像传感器的一步法制备及其测试 | 第50-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 基于有机纳米线阵列/n 型硫化镉异质结的研究 | 第58-65页 |
| ·引言 | 第58-59页 |
| ·实验材料与仪器 | 第59-60页 |
| ·结果与讨论 | 第60-64页 |
| ·P 型酞菁铜(CuPc) /n 型硫化镉异质结的制备及其表征 | 第60-62页 |
| ·N 型苝四甲酸二酐(PTCDA) /n 型硫化镉异质结的制备及其表征 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 硕士期间所发论文 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
