| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·国内外研究概况 | 第8-11页 |
| ·论文研究内容及安排 | 第11-12页 |
| ·研究内容 | 第11页 |
| ·论文安排 | 第11-12页 |
| 第二章 InAs/InP柱型量子线中的居留时间 | 第12-20页 |
| ·理论模型 | 第12-15页 |
| ·结果和讨论 | 第15-19页 |
| ·结论 | 第19-20页 |
| 第三章 非对称耦合量子盘的相干隧穿和逃逸 | 第20-26页 |
| ·理论模型 | 第20-22页 |
| ·结果和讨论 | 第22-25页 |
| ·结论 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-30页 |
| 致谢 | 第30-31页 |
| 攻读硕士学位期间完成的学术论文 | 第31页 |