| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-29页 |
| ·高电荷态离子与表面相互作用过程的研究概况 | 第8-20页 |
| ·入射原子或多电荷态离子与表面相互作用过程的能量损失 | 第10-12页 |
| ·高电荷态离子与表面相互作用后的最终电荷态分布 | 第12-13页 |
| ·高电荷态离子与表面相互作用的电子发射 | 第13-16页 |
| ·高电荷态离子与表面相互作用的X射线发射 | 第16-20页 |
| ·沟道效应概述 | 第20-23页 |
| ·沟道效应定义 | 第20-21页 |
| ·沟道效应的临界条件 | 第21-23页 |
| ·本文的主要内容 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-29页 |
| 第二章 离子在表面上的运动 | 第29-38页 |
| ·离子-表面相互作用势 | 第29-32页 |
| ·晶体铝靶的建立 | 第32-35页 |
| ·晶体铝靶的基本结构 | 第32-34页 |
| ·接近实验条件的处理过程 | 第34-35页 |
| ·模拟方法小结 | 第35-37页 |
| 参考文献 | 第37-38页 |
| 第三章 表面上的电荷交换过程 | 第38-50页 |
| ·电荷交换的几率流方程 | 第38-40页 |
| ·共振俘获(RC,Resonant Capture) | 第40-43页 |
| ·表面上运动电子所受势能 | 第40-42页 |
| ·共振俘获电流 | 第42-43页 |
| ·共振失去(RL,Resonant Loss) | 第43-44页 |
| ·自电离过程(AI,Auto-Ionization) | 第44页 |
| ·剥离过程(PO,Peeling Off) | 第44-45页 |
| ·旁馈过程(SF,Side Feeding) | 第45-46页 |
| ·抬升失去过程(PL,Promotion Loss,) | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第四章 低速高电荷态Ar~(q+)以掠角入射到单晶体Al(111)表面上的能损 | 第50-80页 |
| ·低速高电荷态Ar~(q+)掠射到单晶Al(111)面上的镜像电荷增益 | 第50-52页 |
| ·低速原子Ar~0掠射到单晶Al(111)面上的弹性能损 | 第52-53页 |
| ·低速高电荷态Ar~(q+)掠射到单晶Al(111)面上的非弹性能损 | 第53-64页 |
| ·电荷交换能损(charge-exchange energy loss) | 第53-55页 |
| ·远距离能损(large-distance energy loss) | 第55-60页 |
| ·近距离电子能损(short-distance electron energy loss) | 第60-64页 |
| ·低速高电荷态Ar~(q+)掠射到单晶Al(111)面上的能损计算结果及与实验比较 | 第64-79页 |
| 参考文献 | 第79-80页 |
| 第五章 低速高电荷态Ar~(q+)以掠角入射到单晶体Al(111)表面上的电子发射 | 第80-86页 |
| ·低速高电荷态Ar~(q+)以掠角入射到单晶Al(111)表面上的动能电子发射 | 第80-82页 |
| ·低速高电荷态Ar~(q+)以掠角入射到单晶Al(111)表面上的势能电子发射 | 第82-85页 |
| 参考文献 | 第85-86页 |
| 第六章 低速高电荷态Ar~(q+)以掠角入射到单晶体Al(111)表面上的X射线发射 | 第86-97页 |
| ·时钟特性 | 第87-88页 |
| ·KL~x射线谱 | 第88-96页 |
| 参考文献 | 第96-97页 |
| 第七章 中性铜团簇Cu_n(n≥147)以掠角入射到单晶体Al(111)表面上的碎裂与能损 | 第97-117页 |
| ·铜团簇在表面上的运动 | 第98-99页 |
| ·铜团簇结构的生成及计算方法 | 第99-102页 |
| ·中性铜团簇Cu_n(n≥147)以掠角入射到单晶体Al(111)表面上的碎裂 | 第102-110页 |
| ·中性铜团簇Cu_(147)以掠角入射到单晶体Al(111)表面上的能损 | 第110-116页 |
| 参考文献 | 第116-117页 |
| 第八章 总结与展望 | 第117-120页 |
| 在学期间的研究成果 | 第120-121页 |
| 致谢 | 第121页 |
