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特高压VFTO对二次设备电磁骚扰的研究

摘要第1-6页
Abstract第6-9页
第1章 绪论第9-15页
   ·选题背景及意义第9-11页
   ·国内外研究动态第11-12页
   ·电磁场数值计算方法第12-13页
   ·论文的主要工作第13-15页
第2章 电磁场屏蔽与VFTO空间场的基本理论第15-20页
   ·电磁场屏蔽的基本理论第15-16页
   ·VFTO及其空间场的产生机理第16-17页
   ·VFTO空间场对二次设备作用的耦合途径分析第17-19页
     ·VFTO对二次设备的传导耦合第18页
     ·VFTO对二次设备空间辐射耦合第18-19页
   ·本章小结第19-20页
第3章 VFTO空间场下的孔缝耦合特性分析第20-34页
   ·时域有限差分法基本原理第20-24页
     ·时域有限差分方程第20-23页
     ·数值稳定性及数值色散第23页
     ·吸收边界条件第23-24页
   ·XFDTD软件简介第24-25页
   ·仿真模型的建立及激励源的设置第25-26页
   ·不同形式的孔缝对开孔腔体内耦合场的影响第26-31页
     ·不同形状的开孔对腔体内耦合场的影响第26-27页
     ·不同尺寸的矩形开孔对耦合场的影响第27-28页
     ·缝隙阵间距的变化对耦合场的影响第28-30页
     ·相同面积的孔阵对腔体内耦合场的影响第30-31页
   ·对实际二次设备外壳内耦合场的时域分析第31-33页
   ·本章小结第33-34页
第4章 VFTO空间场下的微带线路耦合特性研究第34-47页
   ·存在介质板时腔体耦合特性分析第34-37页
     ·介质板与开孔的距离的改变对耦合场的影响第34-36页
     ·介质板尺寸的变化对耦合特性的影响第36-37页
   ·VFTO空间场下微带线端口电压响应第37-42页
     ·自由空间中微带线端口电压响应第37-39页
     ·屏蔽腔体中微带线端口电压响应第39-42页
   ·VFTO空间场对实际二次设备中电路板上微带线的影响第42-44页
     ·电磁波垂直极化沿+Z方向入射情形第42-43页
     ·电磁波水平极化沿+Z方向入射情形第43-44页
   ·自由空间中的短线缆耦合对微带线终端电阻电压的影响第44-46页
   ·本章小结第46-47页
第5章 VFTO空间电磁骚扰的真型平台测试研究第47-53页
   ·现场测试方法第47-49页
   ·测试结果及其分析第49-52页
   ·本章小结第52-53页
第6章 结论与展望第53-54页
参考文献第54-57页
攻读硕士学位期间发表的论文和参加的科研项目第57-58页
致谢第58页

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