| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 图表清单 | 第9-14页 |
| 注释表 | 第14-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| ·世界光伏产业技术发展与趋势 | 第15-17页 |
| ·晶体硅太阳电池技术的发展情况 | 第17-18页 |
| ·本文研究的主要内容及研究意义 | 第18-21页 |
| 第二章 太阳电池基本理论的简介 | 第21-27页 |
| ·晶体硅太阳电池的基础 | 第21-24页 |
| ·晶体硅太阳电池的基本结构 | 第21页 |
| ·晶体硅太阳电池的工作原理 | 第21-22页 |
| ·晶体硅太阳电池的I-V 特性方程 | 第22-23页 |
| ·表征晶体硅太阳电池特性的电学参数 | 第23-24页 |
| ·影响晶体硅太阳电池转换效率的因素及解决方法 | 第24-27页 |
| ·影响晶体硅太阳电池转换效率损失的因素 | 第24-25页 |
| ·解决方法 | 第25-27页 |
| 第三章 太阳电池的基本制备工艺与相关测试技术 | 第27-40页 |
| ·晶体硅太阳电池生产的基本工艺流程 | 第27-28页 |
| ·测试技术 | 第28-40页 |
| ·四探针技术 | 第28-30页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第30页 |
| ·Corescan 扫描仪 | 第30-31页 |
| ·光谱仪 | 第31-32页 |
| ·紫外可见近红外分光光度计 | 第32-33页 |
| ·太阳电池I-V 特性参数测量与分析 | 第33-36页 |
| ·μ-PCD 技术 | 第36页 |
| ·光学显微镜 | 第36-37页 |
| ·彩色3D 激光扫描显微系统 | 第37-38页 |
| ·扩展电阻技术 | 第38-39页 |
| ·椭偏仪 | 第39-40页 |
| 第四章 常规发射区与高方块电阻发射区单晶硅太阳电池性能比较 | 第40-57页 |
| ·引言 | 第40-41页 |
| ·常规发射区与高方块电阻发射区太阳电池在相同生产工艺条件下的性能比较 | 第41-51页 |
| ·实验方法 | 第41-42页 |
| ·实验结果与讨论 | 第42-51页 |
| ·常规发射区与高方块电阻发射区太阳电池在不同生产工艺条件下的性能比较 | 第51-57页 |
| ·实验方法 | 第51页 |
| ·实验结果与讨论 | 第51-57页 |
| 第五章 高方块电阻发射区单晶硅太阳电池性能优化 | 第57-107页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·高方块电阻发射区单晶硅太阳电池的扩散工艺优化 | 第57-80页 |
| ·扩散原理 | 第57-61页 |
| ·提高扩散温度对高方块电阻发射区单晶硅太阳电池性能的优化 | 第61-67页 |
| ·改变扩散温度对高方块电阻发射区单晶硅太阳电池性能的优化 | 第67-72页 |
| ·提高POC1_3 流量对高方块电阻发射区单晶硅太阳电池性能的优化 | 第72-76页 |
| ·调节扩散时间对高方块电阻发射区单晶硅太阳电池性能的优化 | 第76-80页 |
| ·高方块电阻发射区太阳电池的正极Ag 浆料优化 | 第80-90页 |
| ·丝网印刷接触技术的欧姆接触形成机理和电流传输理论模型 | 第80-84页 |
| ·实验方法 | 第84页 |
| ·实验结果与讨论 | 第84-90页 |
| ·高方块电阻发射区太阳电池的正面金属电极接触设计优化 | 第90-96页 |
| ·正面金属电极接触设计计算 | 第90-91页 |
| ·实验方法 | 第91-92页 |
| ·实验结果与讨论 | 第92-96页 |
| ·高方块电阻发射区太阳电池的烧结工艺优化 | 第96-107页 |
| ·烧结原理 | 第96-97页 |
| ·实验方法 | 第97-98页 |
| ·实验结果与讨论 | 第98-107页 |
| 第六章 结论与展望 | 第107-109页 |
| ·结论 | 第107-108页 |
| ·展望 | 第108-109页 |
| 参考文献 | 第109-119页 |
| 致谢 | 第119-120页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第120页 |
