| 摘要 | 第1-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 符号说明 | 第12-13页 |
| 第一章 引言 | 第13-20页 |
| ·透明导电氧化物薄膜概述 | 第13-14页 |
| ·SnO_2薄膜的研究现状 | 第14页 |
| ·SnO_2薄膜的性质 | 第14-17页 |
| ·结构性质 | 第14-15页 |
| ·电学性质 | 第15-16页 |
| ·光学性质 | 第16-17页 |
| ·SnO_2薄膜的制备方法 | 第17-18页 |
| ·溅射镀膜法 | 第17页 |
| ·热蒸发法 | 第17-18页 |
| ·反应离子镀 | 第18页 |
| ·化学气相沉积法 | 第18页 |
| ·研究目的和内容 | 第18-20页 |
| 第二章 金属有机化学气相沉积法(MOCVD)镀膜原理 | 第20-24页 |
| ·MOCVD系统 | 第20-21页 |
| ·MOCVD法原理 | 第21-22页 |
| ·MOCVD法的特点 | 第22-24页 |
| 第三章 薄膜的制备过程及性能表征 | 第24-31页 |
| ·MOCVD法制备薄膜 | 第24-26页 |
| ·衬底的清洗 | 第24页 |
| ·计算实验参数 | 第24-25页 |
| ·薄膜的生长 | 第25-26页 |
| ·薄膜性能的表征 | 第26-31页 |
| ·薄膜晶体结构及成分测试 | 第26-27页 |
| ·薄膜表面形貌分析 | 第27-28页 |
| ·薄膜电学性质测量 | 第28-29页 |
| ·薄膜光学性质的表征 | 第29-31页 |
| 第四章 掺镓氧化锡(SnO_2:Ga)薄膜的制备及研究 | 第31-42页 |
| ·衬底温度对薄膜晶体结构的影响 | 第31-32页 |
| ·不同掺杂浓度的SnO_2:Ga薄膜的制备及其性质表征 | 第32-36页 |
| ·掺杂浓度对薄膜结构性质的影响及其组分分析 | 第33-34页 |
| ·掺杂浓度对薄膜电学性质的影响 | 第34-35页 |
| ·掺杂浓度对薄膜光学性质的影响 | 第35-36页 |
| ·退火对薄膜性质的影响 | 第36-42页 |
| ·退火对薄膜结构性质的影响 | 第36-37页 |
| ·退火对薄膜电学性质的影响 | 第37-39页 |
| ·退火对薄膜光学性质的影响 | 第39页 |
| ·退火对薄膜光致发光(PL)性质的影响 | 第39-42页 |
| 第五章 Ga、N共掺的SnO_2薄膜的制备及其性能研究 | 第42-51页 |
| ·氨气流量对薄膜结构的影响 | 第42-43页 |
| ·不同Ga浓度的薄膜制备及其性质表征 | 第43-48页 |
| ·薄膜结构性质及其组分分析 | 第43-45页 |
| ·薄膜电学性质的研究 | 第45-46页 |
| ·薄膜光学性质的研究 | 第46-48页 |
| ·退火对薄膜性质的影响 | 第48-51页 |
| ·薄膜的结构性质及表面形貌分析 | 第48-49页 |
| ·薄膜光学性质研究 | 第49-51页 |
| 结论 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 硕士期间发表论文目录 | 第59-60页 |
| 发表论文 | 第60-67页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第67页 |
