LTE上行关键技术的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| ·LTE 启动背景 | 第8-9页 |
| ·LTE 技术特点 | 第9-12页 |
| ·课题的背景意义 | 第12页 |
| ·文章结构安排 | 第12-14页 |
| 2 LTE 核心技术 | 第14-23页 |
| ·OFDM 技术 | 第14-18页 |
| ·下行OFDMA 技术 | 第18-19页 |
| ·MIMO 技术 | 第19-21页 |
| ·下行MIMO 技术 | 第21-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 3 LTE 上行无线传输技术 | 第23-35页 |
| ·比特级处理 | 第23-24页 |
| ·上行物理信道 | 第24-28页 |
| ·时隙结构和物理资源粒子 | 第25-26页 |
| ·上行物理信道 | 第26-28页 |
| ·上行DFT-S-FDMA 传输技术 | 第28-32页 |
| ·上行DFT-S-FDMA 的产生 | 第29-30页 |
| ·DFT-S-OFDM 数学模型 | 第30-32页 |
| ·LTE 上行MIMO 技术 | 第32-34页 |
| ·SIMO 模式 | 第32-33页 |
| ·MU-MIMO 模式 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 4 上行信道估计 | 第35-44页 |
| ·上行导频图案 | 第35-38页 |
| ·基于导频的信道估计方法 | 第38-41页 |
| ·LS 信道估计算法 | 第39页 |
| ·LMMSE 算法 | 第39-40页 |
| ·SVD-MMSE 算法 | 第40-41页 |
| ·非导频位置的信道估计 | 第41-43页 |
| ·线性插值 | 第41-42页 |
| ·高斯插值 | 第42-43页 |
| ·基于DFT 插值算法 | 第43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 5 上行平台搭建与信道估计算法改进 | 第44-56页 |
| ·仿真平台 | 第44-45页 |
| ·三种基本算法仿真结果 | 第45-48页 |
| ·两种改进型算法 | 第48-51页 |
| ·LMMSE 迭代算法 | 第48-49页 |
| ·LS 加窗算法 | 第49-51页 |
| ·新的改进型算法 | 第51-54页 |
| ·LMMSE+LS 汉明窗 | 第51-52页 |
| ·SVD+LS 汉明窗 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 6 总结 | 第56-57页 |
| ·总结 | 第56页 |
| ·展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
