电弧离子镀CrSiN薄膜基本性能的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 文献综述 | 第7-12页 |
| ·研究背景 | 第7-8页 |
| ·硬质氮化物薄膜材料研究状况 | 第8-9页 |
| ·TiN薄膜 | 第8页 |
| ·CrN薄膜 | 第8-9页 |
| ·TiSiN薄膜 | 第9页 |
| ·硬质氮化物薄膜材料的制备技术 | 第9-11页 |
| ·化学气相沉积(CVD) | 第9-10页 |
| ·物理气相沉积(PVD) | 第10-11页 |
| ·本课题的意义和研究内容 | 第11-12页 |
| 第二章 实验 | 第12-19页 |
| ·实验设备 | 第12-13页 |
| ·主机系统简介 | 第12-13页 |
| ·系统监控流程简介 | 第13页 |
| ·实验设计 | 第13-17页 |
| ·实验目的 | 第13页 |
| ·实验研究方案 | 第13-14页 |
| ·性能检测 | 第14-17页 |
| ·实验方法 | 第17-19页 |
| ·基体材料的预前处理 | 第17页 |
| ·CrSiN薄膜的制备 | 第17-19页 |
| 第三章 CrSiN薄膜的结构分析 | 第19-22页 |
| ·CrSiN薄膜的 X射线光电子能谱分析 | 第19页 |
| ·CrSiN薄膜的 X射线衍射分析 | 第19-21页 |
| ·CrSiN薄膜的透射电子显微镜分析 | 第21页 |
| ·小结 | 第21-22页 |
| 第四章 CrSiN薄膜的基本特性与工艺参数的关系 | 第22-26页 |
| ·负偏压对 CrSiN薄膜基本性能的影响 | 第22-24页 |
| ·负偏压对 CrSiN薄膜硬度的影响 | 第22-23页 |
| ·负偏压对 CrSiN薄膜相结构的影响 | 第23页 |
| ·负偏压对基体温度的影响 | 第23-24页 |
| ·Si含量对 CrSiN薄膜硬度的影响 | 第24-25页 |
| ·小结 | 第25-26页 |
| 第五章 CrSiN薄膜内应力与厚膜化的研究 | 第26-34页 |
| ·前言 | 第26页 |
| ·前处理工艺与膜基结合力 | 第26-28页 |
| ·基材的超声波清洗 | 第27页 |
| ·真空室中基材离子清洗 | 第27-28页 |
| ·成膜参数与内应力 | 第28-31页 |
| ·偏压的影响 | 第28-29页 |
| ·靶源电流的影响 | 第29页 |
| ·成膜温度的影响 | 第29-30页 |
| ·成膜时间的影响 | 第30-31页 |
| ·应力缓和层与内应力 | 第31-32页 |
| ·小结 | 第32-34页 |
| 第六章 结论 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-38页 |
| 致谢 | 第38-39页 |
| 硕士期间发表论文与参加科研项目 | 第39页 |
