| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| §1.1 半导体激光器的发展概述 | 第7-10页 |
| §1.2 量子阱激光器的发展及现状 | 第10-11页 |
| §1.3 半导体激光器的关键技术 | 第11-13页 |
| §1.4 本论文的主要工作 | 第13-14页 |
| 第二章 对影响半导体激光器发光波长的各种因素分析 | 第14-18页 |
| §2.1 量子阱厚度 | 第14页 |
| §2.2 温度 | 第14-15页 |
| §2.3 增益区材料组分 | 第15页 |
| §2.4 折射率与谐振腔尺寸 | 第15-16页 |
| §2.5 用特征温度表征半导体激光器激射波长随温度变化的灵敏度 | 第16-17页 |
| §2.6 腔面反射率对发射波长所产生的影响 | 第17-18页 |
| 第三章 微通道热沉的理论分析设计 | 第18-30页 |
| §3.1 微通道热沉的热模型分析 | 第18-20页 |
| §3.2 微通道热沉的热阻 | 第20-22页 |
| §3.3 微通道热沉热阻的模拟计算分析 | 第22-30页 |
| 第四章 半导体激光器制备工艺 | 第30-42页 |
| §4.1 器件制备的工艺流程 | 第30页 |
| §4.2 半导体激光器材料的外延生长 | 第30-37页 |
| §4.3 中间工艺 | 第37-42页 |
| 第五章 半导体激光器封装改善峰值激射波长漂移的研究 | 第42-54页 |
| §5.1 半导体激光芯片与热沉之间不完善烧结导致的波长漂移严重及不可靠情况 | 第42-46页 |
| §5.2 改善峰值波长漂移的具体实验方案与分析 | 第46-49页 |
| §5.3 芯片-热沉烧结完善状态的电流比较判断法 | 第49-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
