| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-27页 |
| ·横向LDMOS高压功率器件技术概述 | 第14-16页 |
| ·传统上优化横向器件的几种终端技术 | 第16-21页 |
| ·本文的主要工作 | 第21-23页 |
| ·本论文的主要创新包括 | 第23-27页 |
| 第二章 优化设计LDMOS的新技术 | 第27-43页 |
| ·利用电场调制及电荷屏蔽效应设计优化横向高压器件的衬底终端技术 | 第27-32页 |
| ·利用电场调制效应的衬底终端技术 | 第27-28页 |
| ·利用电荷对局域场的屏蔽效应的衬底终端技术 | 第28-29页 |
| ·对一般SOI结构和体硅结构中表面电场分布的解释 | 第29-31页 |
| ·表面终端技术和衬底终端技术的比较 | 第31-32页 |
| ·SOI基横向高压器件的介质场增强技术(ENDIF技术) | 第32-39页 |
| ·SOI技术的发展 | 第32-34页 |
| ·SOI基高压器件技术研究 | 第34-37页 |
| ·SOI结构的介质场增强技术(ENDIF技术) | 第37-39页 |
| ·硅基横向高压器件的纵向场降低(REBULF)技术 | 第39-41页 |
| ·本章小节 | 第41-43页 |
| 第三章 电场调制及电荷屏蔽在SOI基高压器件中的应用 | 第43-57页 |
| ·阶梯埋氧型SOI(SBOSOI)结构 | 第43-49页 |
| ·SBOSOI结构描述 | 第43-44页 |
| ·SBOSOI结构的分析结果 | 第44-49页 |
| ·双面阶梯埋氧型SOI结构 | 第49-55页 |
| ·D-SBOSOI结构描述 | 第49-50页 |
| ·D-SBOSOI结构结果分析 | 第50-55页 |
| ·本章小节 | 第55-57页 |
| 第四章 电场调制及电荷屏蔽在PSOI基高压器件中的应用 | 第57-75页 |
| ·引言 | 第57-63页 |
| ·PSOI结构的特点 | 第57-60页 |
| ·PSOI材料的制备技术 | 第60-63页 |
| ·具有P型埋层的PSOI(BURIED PARTIAL SILICON-ON-INSULATOR)结构 | 第63-68页 |
| ·BPSOI结构描述 | 第63-65页 |
| ·BPSOI结构结果分析 | 第65-68页 |
| ·埋空隙的PSOI结构 | 第68-74页 |
| ·APSOI结构描述 | 第68-70页 |
| ·APSOI结果分析 | 第70-74页 |
| ·本章小节 | 第74-75页 |
| 第五章 电场调制及电荷屏蔽在硅基高压器件中的应用 | 第75-105页 |
| ·具有N~+浮空层的REBULF(REDUCED BULK FIELD)LDMOS新结构 | 第75-80页 |
| ·REBULF LDMOS结构描述 | 第76页 |
| ·REBULF LDMOS结果分析 | 第76-80页 |
| ·SJ-LDMOS新结构 | 第80-85页 |
| ·纵向结构的SJ(纵向结构的SJ主要有完全和不完全两种结构) | 第81-83页 |
| ·横向结构的Super Junction | 第83-85页 |
| ·具有N~+浮空层的SJ-LDMOS新结构 | 第85-89页 |
| ·器件结构描述 | 第85-86页 |
| ·N+-Floating SJ-LDMOS结构的分析结果 | 第86-89页 |
| ·N+-Floating SJ-LDMOS结构的电场分布 | 第86-87页 |
| ·N+-Floating SJ-LDMOS结构参数与击穿电压的关系 | 第87-88页 |
| ·N+-Floating SJ-LDMOS结构的导通特性 | 第88-89页 |
| ·具有部分N型电荷补偿层的SJ LDMOS | 第89-92页 |
| ·折叠硅表面LDMOS新结构 | 第92-103页 |
| ·Folded SOI LDMOS—FSOI-LDMOS | 第93-97页 |
| ·FSOI-LDMOS结构描述 | 第93-94页 |
| ·FSOI-LDMOS结果分析 | 第94-97页 |
| ·FALDMOS(Accumulation layer using Folded LDMOS) | 第97-103页 |
| ·FALDMOS结构描述 | 第98-100页 |
| ·FALDMOS结果分析 | 第100-103页 |
| ·本章小节 | 第103-105页 |
| 第六章 N~+-FLOATING LDMOS实验结果分析 | 第105-113页 |
| ·衬底材料的制备 | 第105-107页 |
| ·器件研制 | 第107-109页 |
| ·测试结果 | 第109-110页 |
| ·结果讨论 | 第110-113页 |
| 第七章 全文总结 | 第113-117页 |
| ·结论 | 第113-115页 |
| ·新技术研究 | 第113页 |
| ·新结构研究 | 第113-115页 |
| ·下一步工作 | 第115-117页 |
| 致谢 | 第117-118页 |
| 参考文献 | 第118-134页 |
| 作者简历、在读期间发表的论文、科研工作及获奖情况 | 第134-136页 |
