| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 概述 | 第9-22页 |
| ·微/纳机电系统制造技术 | 第9-16页 |
| ·微/纳机电系统简述 | 第9-12页 |
| ·纳米制造工艺技术 | 第12-14页 |
| ·基于MEMS工艺的纳米制备技术 | 第14-16页 |
| ·微流体系统概述 | 第16-18页 |
| ·微流体系统的发展 | 第16-17页 |
| ·微控流芯片简介 | 第17-18页 |
| ·课题的提出及工作内容 | 第18-21页 |
| ·课题研究背景与提出 | 第18-20页 |
| ·本文的工作内容 | 第20-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第二章 微流体相关理论 | 第22-31页 |
| ·微流体理论基础 | 第22-25页 |
| ·宏观与微观流体异同 | 第22-23页 |
| ·微细管道内的流体阻力分析 | 第23-24页 |
| ·流道截面形状对微流体流动性能的影响 | 第24-25页 |
| ·双纳米沟道的流体理论模型 | 第25-30页 |
| ·利用扩散系数分析双纳米沟道 | 第25-29页 |
| ·仿真与参数优化 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 离子束刻蚀相关理论及纳米沟道刻蚀方案的设计 | 第31-47页 |
| ·MEMS选择性工艺—干法刻蚀选择性原理介绍 | 第31-34页 |
| ·干法刻蚀的发展和分类 | 第31-32页 |
| ·各种干法刻蚀的选择性 | 第32-34页 |
| ·离子束双阴影效应与纳米沟道的刻蚀模型 | 第34-40页 |
| ·离子束双阴影效应原理 | 第34-36页 |
| ·形成双纳米沟道的离子束双阴影刻蚀模型 | 第36-38页 |
| ·形成单纳米沟道的离子束刻蚀模型 | 第38-39页 |
| ·离子束对图形的均匀刻蚀 | 第39-40页 |
| ·三种纳米沟道离子束刻蚀方案的设计 | 第40-45页 |
| ·基于离子束双阴影效应的双纳米沟道制备方案设计 | 第41-43页 |
| ·基于离子束阴影效应的单纳米沟道制备方案设计 | 第43-44页 |
| ·另一种双纳米沟道制备方案的设计 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 基于离子束双阴影效应的纳米沟道制备工艺实验 | 第47-57页 |
| ·纳米沟道制备工艺流程 | 第47-52页 |
| ·双纳米沟道制备实验 | 第47-49页 |
| ·单纳米沟道的制备实验 | 第49-50页 |
| ·双纳米沟道的另一种制备实验 | 第50-51页 |
| ·三种纳米沟道的比较 | 第51-52页 |
| ·实验结果及对工艺细节的讨论 | 第52-56页 |
| ·矩形截面与半圆形截面的纳米沟道制备 | 第52-53页 |
| ·掩模的质量 | 第53-54页 |
| ·离子束刻蚀速度的印象因素 | 第54-55页 |
| ·工艺中其他问题 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 初步应用与结论 | 第57-66页 |
| ·纳米沟道的应用与微控流芯片流片 | 第57-62页 |
| ·微控流芯片设计说明 | 第57-58页 |
| ·微控流芯片制作 | 第58-60页 |
| ·带纳米沟道的微控流芯片制作 | 第60-62页 |
| ·测试与结果 | 第62-64页 |
| ·总结与展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 作者简介及发表论文 | 第68页 |
| 攻读硕士期间发表论文 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |