| 中文摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-7页 |
| 第一章 文献综述 | 第7-28页 |
| ·前言 | 第7页 |
| ·BaTiO_3陶瓷的PTC 效应 | 第7-11页 |
| ·概述 | 第7-8页 |
| ·晶界结构与PTC 效应 | 第8-9页 |
| ·晶界第二相、晶界层与PTC 效应 | 第9-10页 |
| ·氧吸附及PTC 效应 | 第10-11页 |
| ·几种BaTiO_3热敏陶瓷PTC 效应的物理模型 | 第11-15页 |
| ·Heywang-Jonkey 模型 | 第11-12页 |
| ·Daniels 的晶界钡缺位模型 | 第12-13页 |
| ·Desu 的界面析出模型 | 第13-15页 |
| ·PTC 材料的电性能 | 第15-17页 |
| ·电阻－温度特性 | 第15-16页 |
| ·电压－电流特性 | 第16页 |
| ·电流－时间特性 | 第16-17页 |
| ·电压效应和耐压特性 | 第17页 |
| ·复相陶瓷导电性相关理论 | 第17-19页 |
| ·理想模型 | 第17-18页 |
| ·修正模型 | 第18页 |
| ·两相尺度比例变化时对渗流临界值的影响 | 第18-19页 |
| ·两相尺度比变化对样品电导率的影响 | 第19页 |
| ·BaTiO_3基PTCR 材料室温电阻率降低途径 | 第19-22页 |
| ·原料选择 | 第19-20页 |
| ·通过施主、受主掺杂而实现BaTiO_3基PTCR 陶瓷的低阻化 | 第20页 |
| ·其他改性添加物 | 第20-21页 |
| ·不同形式添加剂 | 第21-22页 |
| ·制备工艺对低阻化的影响 | 第22页 |
| ·金属/PTC 陶瓷复合材料 | 第22-26页 |
| ·金属/PTC 陶瓷复合材料简介 | 第22-23页 |
| ·晶界渗流理论 | 第23页 |
| ·GEM 方程 | 第23-24页 |
| ·金属/PTC 陶瓷复合材料的相关机理 | 第24-25页 |
| ·金属Ni 的引入 | 第25-26页 |
| ·金属与PTC 陶瓷复合的方法 | 第26页 |
| ·石墨造成的还原气氛 | 第26-27页 |
| ·课题的提出 | 第27-28页 |
| 第二章 实验部分 | 第28-32页 |
| ·实验构想 | 第28页 |
| ·实验原料 | 第28-29页 |
| ·配方分析 | 第29页 |
| ·实验过程 | 第29-31页 |
| ·工艺流程图 | 第29页 |
| ·各工艺流程说明 | 第29-31页 |
| ·性能测试及数据处理 | 第31-32页 |
| ·电阻率的计算 | 第31页 |
| ·样品的阻温特性测定 | 第31-32页 |
| 第三章 烧成及氧化处理工艺的研究 | 第32-50页 |
| ·烧结气氛的影响 | 第32-33页 |
| ·烧结温度的影响 | 第33-40页 |
| ·烧结温度对室温电阻率的影响 | 第35-37页 |
| ·烧结温度对升阻比的影响 | 第37-38页 |
| ·烧结温度对温度系数的影响 | 第38-39页 |
| ·烧结温度对材料性能的综合影响 | 第39-40页 |
| ·氧化处理的影响 | 第40-50页 |
| ·氧化处理温度的确定 | 第40-41页 |
| ·氧化处理对于室温电阻率的影响 | 第41-44页 |
| ·氧化处理对于升阻比及温度系数的影响 | 第44-48页 |
| ·氧化处理对于样品性能的综合影响 | 第48-50页 |
| 第四章 金属的加入对于材料性能的影响 | 第50-74页 |
| ·金属Ni 的加入对于材料性能的影响 | 第50-58页 |
| ·金属Ni 的加入量对于材料室温电阻率的影响 | 第51-53页 |
| ·金属Ni 的加入量对于材料升阻比的影响 | 第53-55页 |
| ·金属Ni 的加入量对于材料温度系数的影响 | 第55-58页 |
| ·金属Ni 的加入量对于材料性能的综合影响 | 第58页 |
| ·金属Ni 和金属Ti 复合加入对于材料性能的影响 | 第58-72页 |
| ·金属Ti 加入量对于材料室温电阻率的影响 | 第59-64页 |
| ·金属Ti 的加入量对于材料升阻比的影响 | 第64-67页 |
| ·金属Ti 的加入量对于材料温度系数的影响 | 第67-72页 |
| ·金属Ti 的加入量对于材料性能的综合影响 | 第72页 |
| ·金属Ni、Ti 的复合加入量对于材料性能的影响 | 第72-74页 |
| 第五章 结论 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
