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电子在纳米结构中自旋依赖的输运性质的研究

摘要第1-7页
Abstract第7-13页
1 绪论第13-27页
   ·纳米结构及其特性第13-15页
   ·自旋电子学和自旋电子学器件第15-16页
   ·自旋轨道耦合效应第16-19页
   ·电导公式第19-21页
   ·转移矩阵方法第21-24页
   ·本文主要研究的内容第24-27页
2 电子在偏压调制的磁纳米结构中自旋依赖的输运性质第27-38页
   ·研究背景第27页
   ·理论公式第27-29页
   ·电子在具有两个磁垒的纳米结构中偏压调控的输运性质第29-33页
   ·电子在具有四个磁垒的纳米结构中偏压和温度依赖的输运性质第33-37页
   ·本章小节第37-38页
3 电子在具有delta掺杂的磁纳米结构中自旋依赖的输运性质第38-62页
   ·研究背景第38-40页
   ·理论公式第40-42页
   ·电子在具有一个掺杂和两个磁场的纳米结构中的输运性质第42-49页
   ·电子在具有两个掺杂和四个磁场的纳米结构中的输运性质第49-57页
   ·电子在具有周期性的掺杂和磁场的纳米结构中的输运性质第57-61页
   ·本章小结第61-62页
4 磁纳米结构中电子的输运性质和温度依赖的磁阻效应第62-76页
   ·研究背景第62-63页
   ·理论公式第63-66页
   ·数值结果和讨论第66-75页
   ·本章小结第75-76页
5 非磁纳米结构中自旋轨道耦合效应对电子共振通路的影响第76-94页
   ·研究背景第76-77页
   ·理论公式第77-79页
   ·数值结果和讨论第79-93页
   ·本章小结第93-94页
6 总结与展望第94-97页
   ·全文总结第94-95页
   ·未来展望第95-97页
致谢第97-98页
参考文献第98-117页
附录1 攻读博士学位期间发表的学术论文第117页

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