| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-20页 |
| 第一章 绪论 | 第20-47页 |
| ·光网技术与光子器件 | 第20-25页 |
| ·Internet 的发展 | 第20页 |
| ·IP over DWDM | 第20-22页 |
| ·微波光子网技术 | 第22-24页 |
| ·现代光网中的平面光波光路 | 第24-25页 |
| ·光调制器/开关(OM/S)研究现状 | 第25-31页 |
| ·LiNbO3-OM/S | 第26-27页 |
| ·聚合物波导OM/S | 第27-28页 |
| ·半导体多量子阱电吸收型OM/S | 第28-31页 |
| ·平面波导滤波器研究现状 | 第31-34页 |
| ·平面波导谐振腔滤波器 | 第31-33页 |
| ·研究简况 | 第31页 |
| ·研究进展 | 第31-33页 |
| ·其它滤波器 | 第33-34页 |
| ·光栅型滤波器(轴向对准型) | 第33-34页 |
| ·干涉滤波型(轴向对准型) | 第34页 |
| ·集成波导阵列光栅滤波器AWG | 第34页 |
| ·耦合型光纤滤波器 | 第34页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ半导体光波导设计方法及工艺技术 | 第34-38页 |
| ·设计方法 | 第34-35页 |
| ·工艺流程 | 第35-36页 |
| ·MQW 材料结构外延生长技术 | 第36-37页 |
| ·图形加工 | 第37-38页 |
| ·本文工作简介 | 第38-41页 |
| ·研制多量子阱PLC 器件的重要性 | 第38页 |
| ·欲解决的主要问题 | 第38页 |
| ·本文完成的主要工作 | 第38-40页 |
| ·本文的主要创新点 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-47页 |
| 第二章 平面光波光路(PLCs)时域束传输法和有限差分法分析 | 第47-73页 |
| ·时域束传播法 | 第47-54页 |
| ·时域束传播方程 | 第47-49页 |
| ·二维标量时域有限差分束传输方程 | 第49-51页 |
| ·TD-FD-BPM 法边界条件 | 第51-54页 |
| ·时域有限差分法(FDTD) | 第54-65页 |
| ·Yee 算法 | 第54-57页 |
| ·3D 差分模型 | 第55-56页 |
| ·2D 差分模型 | 第56-57页 |
| ·吸收边界条件 | 第57-64页 |
| ·一、二阶Mur 吸收边界条件 | 第58-61页 |
| ·完全匹配层吸收边界条件(PML) | 第61-64页 |
| ·激励源 | 第64-65页 |
| ·算法验证和分析 | 第65-71页 |
| ·TD-FD-BPM | 第65-70页 |
| ·FDTD | 第70-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-73页 |
| 第三章 高折射率差平面谐振腔滤波器分析及设计 | 第73-91页 |
| ·谐振腔中的光波 | 第73-78页 |
| ·基本定义和概念 | 第73页 |
| ·耦合谐振腔 | 第73-74页 |
| ·谐振腔与波导的耦合 | 第74-76页 |
| ·稳态单环谐振腔性能分析 | 第76-78页 |
| ·四端口谐振腔系统分析 | 第78-82页 |
| ·各端口光波振幅关系 | 第78-80页 |
| ·行波型谐振腔系统 | 第80页 |
| ·驻波型谐振腔系统 | 第80页 |
| ·两相同驻波谐振腔系统 | 第80-82页 |
| ·谐振腔滤波器FDTD 优化设计分析 | 第82-88页 |
| ·波导结构和仿真条件 | 第82-83页 |
| ·GaAs/GaAlAs 双异质结平面谐振腔滤波器 | 第83-86页 |
| ·GaAs/InGaAs 多量子阱平面谐振腔滤波器 | 第86-87页 |
| ·InP/InGaAsP 多量子阱平面谐振腔滤波器 | 第87-88页 |
| ·多功能平面波导谐振腔滤波系统 | 第88页 |
| ·本章小结 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-91页 |
| 第四章 Ⅲ-Ⅴ族半导体多量子阱光调制器/开关性能分析及设计 | 第91-115页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ半导体MQW 的物理特性 | 第91-97页 |
| ·MQW 中的主要物理现象 | 第91-92页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族半导体多量子阱吸收谱分析 | 第92-95页 |
| ·MQW 基本参数估算 | 第95-97页 |
| ·MQW 波导设计 | 第97-101页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ半导体的禁带宽度E_g和折射率的计算 | 第97-99页 |
| ·InGaAsP/InP-MQW 波导结构设计 | 第99-101页 |
| ·InP/InGaAsP-MQW 光波导及OM/S 传输分析 | 第101-103页 |
| ·InP/InGaAsP-MQW 的光传输系数 | 第101页 |
| ·MQW 直脊波导单模场图及光传输分析 | 第101-102页 |
| ·M-Z 型OM/S 分支夹角与光功率损耗关系 | 第102页 |
| ·2X1 光双波合路平面波导调制器/开关 | 第102-103页 |
| ·半导体多量子阱调制器行波电极分析 | 第103-112页 |
| ·静态特性分析 | 第103-106页 |
| ·MQW 结构衬底微波电路模型——直接时域近似法 | 第106-110页 |
| ·MQW-OM/S 行波电极微波特性分析 | 第110-112页 |
| ·本章小结 | 第112-113页 |
| 参考文献 | 第113-115页 |
| 第五章InP/InGaAs 化合物半导体多量子阱材料的生长 | 第115-124页 |
| ·InP/InGaAsP 多量子阱材料的分子束外延生长 | 第115-117页 |
| ·半导体材料分子束外延(MBE)原理 | 第115-116页 |
| ·衬底制备 | 第116-117页 |
| ·InP/InGaAsP-MQW 材料的生长及性能分析 | 第117-119页 |
| ·InP/InGaAsP-MQW 的生长 | 第117-118页 |
| ·InP/InGaAsP-MQW 的性能分析 | 第118-119页 |
| ·InP/ InGaAsP 应变多量子阱结构分析 | 第119-123页 |
| ·一般常用的晶体结构和组分分析方法 | 第119页 |
| ·高分辨X 射线双晶衍射测量原理 | 第119-121页 |
| ·InP/InGaAsP 应变多量子阱结构的X 射线双晶衍射(XRD) | 第121-123页 |
| ·本章小结 | 第123页 |
| 参考文献 | 第123-124页 |
| 第六章 InGaAsP/InP-MQW-PLCs 的制作和测试分析 | 第124-150页 |
| ·InP /InGaAsP 平面波导器件制作 | 第124-132页 |
| ·器件图形加工 | 第124-127页 |
| ·电极制作 | 第127-132页 |
| ·器件芯片切割和封装 | 第132页 |
| ·光子器件测试系统 | 第132-138页 |
| ·光功率计 | 第132-133页 |
| ·可调谐激光器 | 第133页 |
| ·光谱分析仪 | 第133-134页 |
| ·光子全参数测试系统 | 第134-137页 |
| ·光纤与波导对准耦合系统 | 第137-138页 |
| ·测试误差分析 | 第138-140页 |
| ·器件连接或光纤熔接引入的不确定性 | 第138页 |
| ·光电探测单元的不确定性 | 第138-139页 |
| ·被测器件的偏振相关性 | 第139页 |
| ·光的干涉 | 第139页 |
| ·光源的光谱特性 | 第139页 |
| ·器件的色散特性 | 第139-140页 |
| ·半导体平面波导谐振腔滤波器件测试分析 | 第140-145页 |
| ·GaAs/ AlGaAs-DH 波导谐振腔型滤波器 | 第140-142页 |
| ·InP/InGaAsP-MQW 波导谐振腔滤波器滤波特性实验分析 | 第142-145页 |
| ·InP/InGaASP-MQW 光调制器/开关的测试分析 | 第145-148页 |
| ·集成环形谐振腔的单条型 MQW 光调制器 | 第145-147页 |
| ·M-Z 型 MQW 调制器/开关 | 第147-148页 |
| ·本章小结 | 第148-149页 |
| 参考文献 | 第149-150页 |
| 全文总结 | 第150-153页 |
| 作者简介及 攻读博士学位期间发表论文、申请专利等 | 第153-155页 |
| 致谢 | 第155页 |
