| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-23页 |
| ·非晶半导体的基本理论 | 第8-11页 |
| ·a-Si:H的结构 | 第11-13页 |
| ·a-Si:H的组态分析 | 第13-15页 |
| ·a-Si:H的制备方法 | 第15-18页 |
| ·等离子体沉积a-Si:H薄膜的机制 | 第18-20页 |
| ·a-Si:H沉积过程中的等离子体反应 | 第18-19页 |
| ·a-Si:H薄膜的生长过程 | 第19-20页 |
| ·a-Si:H的应用特性及其应用 | 第20-23页 |
| 第2章 MWECR CVD沉积系统 | 第23-35页 |
| ·等离子体基本参数与存在尺度 | 第23-26页 |
| ·等离子体的基本参数 | 第23-25页 |
| ·等离子体的存在尺度 | 第25-26页 |
| ·ECR等离子体 | 第26-32页 |
| ·ECR原理 | 第27-29页 |
| ·ECR等离子体的微波能量耦合 | 第29-31页 |
| ·ECR等离子体特点 | 第31-32页 |
| ·ECR等离子体沉积系统介绍 | 第32-34页 |
| 本章小结 | 第34-35页 |
| 第3章 a-Si:H薄膜MWECR CVD的高速均匀沉积 | 第35-47页 |
| ·实验 | 第36页 |
| ·a-Si:H薄膜沉积速率的研究 | 第36-43页 |
| ·工作气压与a-Si:H薄膜沉积速率 | 第36-39页 |
| ·SiH_4气体流量与a-Si:H薄膜沉积速率 | 第39-41页 |
| ·衬底温度与a-Si:H薄膜的沉积速率 | 第41-43页 |
| ·高速均匀沉积a-Si:H薄膜的研究 | 第43-46页 |
| 本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 a-Si:H薄膜中氢含量及键合方式的红外分析 | 第47-59页 |
| ·实验 | 第47-48页 |
| ·吸收谱的拟合分析及对氢含量的计算 | 第48-53页 |
| ·红外吸收谱的基线拟合 | 第48-50页 |
| ·红外吸收谱的高斯拟合 | 第50-51页 |
| ·氢含量及硅氢键合模式组分的计算 | 第51-53页 |
| ·H_2／SiH_4稀释比对氢含量及硅氢键合方式的影响 | 第53-58页 |
| ·H_2/SiH_4稀释比对总氢含量的影响 | 第54-55页 |
| ·H_2／SiH_4稀释比对键结构和组分的影响 | 第55-57页 |
| ·实验结果的讨论 | 第57-58页 |
| 本章小结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第66页 |
