| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| ·课题研究的背景、目的和意义 | 第9-10页 |
| ·课题研究的背景 | 第9页 |
| ·课题研究的目的和意义 | 第9-10页 |
| ·半导体光催化技术概括 | 第10-11页 |
| ·影响 TiO_2光催化反应的因素 | 第11-13页 |
| ·晶型的影响 | 第11-12页 |
| ·粒径的影响 | 第12页 |
| ·表面羟基 | 第12页 |
| ·其他因素 | 第12-13页 |
| ·TiO_2光催化技术存在的问题 | 第13页 |
| ·提高 TiO_2可见光催化活性的途径 | 第13-16页 |
| ·过渡金属离子掺杂 | 第13页 |
| ·非金属掺杂 | 第13-14页 |
| ·贵金属沉积 | 第14-15页 |
| ·半导体复合 | 第15页 |
| ·表面光敏化作用 | 第15页 |
| ·金属-非金属离子共掺杂 | 第15-16页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第16-17页 |
| 第2章 实验材料与实验方法 | 第17-23页 |
| ·实验试剂与设备 | 第17-18页 |
| ·主要实验试剂 | 第17-18页 |
| ·实验仪器 | 第18页 |
| ·催化剂的制备方法 | 第18-19页 |
| ·催化剂材料的表征方法 | 第19-21页 |
| ·X-射线衍射（XRD） | 第19-20页 |
| ·X-射线光电子能谱（XPS） | 第20页 |
| ·紫外-可见漫反射光谱（UV-Vis DRS） | 第20页 |
| ·N2吸附-脱附 | 第20页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第20-21页 |
| ·透射电子显微镜（TEM） | 第21页 |
| ·光催化剂活性评价 | 第21-23页 |
| ·模型污染物的选择 | 第21-22页 |
| ·分析方法 | 第22-23页 |
| 第3章 La-N 共掺杂 TiO_2光催化剂的制备及性能研究 | 第23-40页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·催化剂的制备 | 第23-24页 |
| ·催化剂的表征分析 | 第24-35页 |
| ·晶型尺寸分析 | 第24-29页 |
| ·表观形貌分析 | 第29-30页 |
| ·组成元素分析 | 第30-34页 |
| ·光响应分析 | 第34-35页 |
| ·掺杂机理分析 | 第35-36页 |
| ·光催化活性测试 | 第36-38页 |
| ·热处理温度的影响 | 第36-38页 |
| ·反应体系的 COD 去除率 | 第38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第4章 Ce-N 共掺杂 TiO_2光催化剂的制备及性能研究 | 第40-65页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·催化剂的制备工艺 | 第40-41页 |
| ·催化剂的表征 | 第41-52页 |
| ·晶型尺寸分析 | 第41-45页 |
| ·表观形貌分析 | 第45-46页 |
| ·组成结构分析 | 第46-50页 |
| ·光响应分析 | 第50-52页 |
| ·制备因素对光催化活性的影响 | 第52-55页 |
| ·热处理温度的影响 | 第52-53页 |
| ·掺杂剂添加量的影响 | 第53-54页 |
| ·反应体系的 COD 去除率 | 第54-55页 |
| ·掺杂机理分析 | 第55-56页 |
| ·反应工艺条件对光催化性能的影响 | 第56-58页 |
| ·光强的影响 | 第56页 |
| ·pH 的影响 | 第56-57页 |
| ·催化剂的投加量的影响 | 第57-58页 |
| ·两种催化剂光催化活性研究 | 第58-63页 |
| ·催化剂的结构特性分析 | 第58-61页 |
| ·焙烧温度和掺杂比对光催化活性的影响 | 第61-63页 |
| ·两种最佳催化剂对苯酚和 COD 降解效果研究 | 第63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 攻读学位间发表论文 | 第73页 |