摘要 | 第1-3页 |
Abstract | 第3-8页 |
第1章 绪论 | 第8-22页 |
一 引言 | 第8-9页 |
二 正丁烷氧化制顺酐研究的国内外进展 | 第9-14页 |
·正丁烷氧化制顺酐工艺的国内外进展 | 第9-12页 |
·正丁烷氧化制顺酐催化剂的国内外进展 | 第12-14页 |
三 无机膜反应器研究的国内外进展 | 第14-21页 |
·膜反应器的种类 | 第15-16页 |
·无机膜反应器的特点 | 第16-18页 |
·无机膜反应器在气相氧化反应中的应用 | 第18-20页 |
·膜反应器技术的展望 | 第20-21页 |
四 本研究的主要内容及目标 | 第21-22页 |
第二章 γ-A100H溶胶的制备和表征 | 第22-38页 |
一 引言 | 第22页 |
二 实验部分 | 第22-23页 |
三 结果与讨论 | 第23-36页 |
·水解温度对γ-A100H溶胶性质的影响 | 第23-27页 |
·胶溶剂种类及用量对γ-A100H溶胶性质的影响 | 第27-30页 |
·加水量对γ-A100H溶胶性质的影响 | 第30-31页 |
·催化剂种类及添加量对γ-A100H溶胶性质的影响 | 第31-34页 |
·陈化时间和温度对γ-A100H溶胶性质的影响 | 第34-36页 |
四 结论 | 第36-38页 |
第三章 γ-Al_2O_3膜的制备及表征 | 第38-65页 |
一 引言 | 第38页 |
二 实验部分 | 第38-41页 |
三 结果与讨论 | 第41-63页 |
·不同孔径大小的基质陶瓷管的成膜性能考察 | 第41-43页 |
·浸涂条件的控制对成膜性质的影响 | 第43-54页 |
·添加剂加入量的控制 | 第43-47页 |
·浸涂液中粘合剂与增塑剂配比的控制 | 第47-49页 |
·浸涂时间的控制 | 第49-53页 |
·制膜程序对成膜质量的影响 | 第53-54页 |
·干燥条件的控制对成膜质量的影响 | 第54-60页 |
·陈化处理对成膜质量的影响 | 第54-55页 |
·干燥过程条件的控制对成膜质量的影响 | 第55-60页 |
·焙烧条件对成膜质量的影响 | 第60-62页 |
·制备过程重复性考察 | 第62-63页 |
四 结论 | 第63-65页 |
第四章 金属氧化物γ-Al_2O_3膜的制备及表征 | 第65-90页 |
一 引言 | 第65页 |
二 实验部分 | 第65-67页 |
·浸渍液的制备 | 第65-66页 |
·V-P-Co-Ce-O多金属氧化物担载膜和非担载膜的制备 | 第66-67页 |
三 V-P-Co-Ce-O多金属氧化物膜的性质 | 第67-88页 |
·γ-Al_2O_3中孔膜的气体渗透性 | 第67-70页 |
·多金属氧化物膜的气体渗透性 | 第70-74页 |
·V-P-Co-Ce-O多金属氧化物膜渗透N_2、O_2的性能 | 第70-72页 |
·V-P-Co-Ce-O多金属氧化物膜渗透正丁烷的性能 | 第72-74页 |
·V-P-Co-Ce-O多金属氧化物膜上VPO催化剂的晶相结构 | 第74-77页 |
·V-P-Co-Ce-O多金属氧化物膜的表面氧化态和活性氧物种 | 第77-81页 |
·反应前后多金属氧化物膜表面P的价态 | 第77-78页 |
·反应前后多金属氧化物膜表面V的价态及V~(4+)/V~(5+)比 | 第78-79页 |
·反应前后多金属氧化物膜表面Co、Ce和Al的价态 | 第79-80页 |
·反应前后多金属氧化物膜表面的活性氧物种 | 第80-81页 |
·V-P-Co-Ce-O多金属氧化物膜的孔径分布、形貌及V、P、Co、Ce的分布 | 第81-88页 |
四 结论 | 第88-90页 |
第五章 V-P-Co-Ce-O多金属氧化物膜催化性能评价 | 第90-103页 |
一 引言 | 第90页 |
二 实验部分 | 第90-92页 |
三 结果与讨论 | 第92-102页 |
·空白实验 | 第92-93页 |
·顺酐对氧和正丁烷周期性进料的瞬态响应 | 第93-94页 |
·膜的浸渍次数对膜催化性能的影响 | 第94页 |
·膜催化正丁烷氧化制顺酐反应条件的考察 | 第94-99页 |
·反应温度对膜催化反应的影响 | 第94-96页 |
·空速对膜催化反应的影响 | 第96-97页 |
·空气流量对膜催化反应的影响 | 第97-98页 |
·正丁烷流量对膜催化反应的影响 | 第98页 |
·氧化剂种类对膜催化反应的影响 | 第98-99页 |
·吹扫气的流量对膜催化反应的影响 | 第99页 |
·膜反应器稳定性考察 | 第99-100页 |
·催化膜反应器与固定床反应器性能的比较 | 第100-102页 |
四 结论 | 第102-103页 |
第六章 结论 | 第103-106页 |
参考文献 | 第106-113页 |
致谢 | 第113页 |