| 提要 | 第1-11页 |
| 第一章 导言 | 第11-37页 |
| ·低维半导体材料概述 | 第11-18页 |
| ·准二维半导体结构(量子阱) | 第11-16页 |
| ·准一维体系(量子线) | 第16-18页 |
| ·准零维结构—量子点 | 第18-32页 |
| ·量子点的制备方式 | 第18-21页 |
| ·库仑阻塞及Kondo效应 | 第21-27页 |
| ·耦合量子点结构 | 第27-30页 |
| ·自旋量子比特 | 第30-32页 |
| ·本论文拟开展的研究工作 | 第32-37页 |
| ·研究对象 | 第32-33页 |
| ·研究内容 | 第33-37页 |
| 第二章 量子输运理论 | 第37-53页 |
| ·平衡态格林函数微扰展开回顾 | 第37-40页 |
| ·表象变换理论 | 第37-38页 |
| ·S-矩阵 | 第38-39页 |
| ·平衡态格林函数的求解 | 第39-40页 |
| ·非平衡态格林函数方法 | 第40-53页 |
| ·非平衡态格林函数的定义 | 第40-41页 |
| ·Langreth定理 | 第41-42页 |
| ·Dyson方程 | 第42-43页 |
| ·运动方程 | 第43-44页 |
| ·广义Landauer-Büttiker公式 | 第44-53页 |
| 第三章 典型耦合量子点体系中的电子输运性质 | 第53-115页 |
| ·平行双量子点结构中Fano效应的Feynman路径方法分析 | 第53-67页 |
| ·理论描述 | 第54-58页 |
| ·Feynman路径分析 | 第58-61页 |
| ·数值结果与讨论 | 第61-66页 |
| ·结论 | 第66-67页 |
| ·平行双量子点结构中电-声子相互作用对Fano效应的影响 | 第67-76页 |
| ·理论模型 | 第68-72页 |
| ·数值结果与讨论 | 第72-76页 |
| ·结论 | 第76页 |
| ·存在Rashba自旋-轨道耦合的T-型双量子点结构中的Fano效应 | 第76-90页 |
| ·理论模型 | 第77-86页 |
| ·数值结果与讨论 | 第86-89页 |
| ·结论 | 第89-90页 |
| ·侧向耦合双量子点结构线性电导谱中的绝缘带的产生 | 第90-103页 |
| ·理论描述 | 第91-94页 |
| ·数值结果及讨论 | 第94-101页 |
| ·结论 | 第101-103页 |
| ·三量子点环中中的自旋极化和自旋分离 | 第103-115页 |
| ·理论模型 | 第103-106页 |
| ·数值结果及讨论 | 第106-112页 |
| ·结论 | 第112-115页 |
| 第四章 结论 | 第115-119页 |
| 参考文献 | 第119-129页 |
| 摘要 | 第129-133页 |
| Abstract | 第133-137页 |
| 博士期间发表论文 | 第137-139页 |
| 致谢 | 第139页 |
