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GaAs光电阴极缺陷特性研究

摘要第1-4页
Abstract第4-7页
1 绪论第7-16页
   ·GaAs光电阴极缺陷特性的研究背景第7-12页
     ·GaAs光电阴极的发展第7-8页
     ·GaAs光电阴极的制备第8-9页
     ·GaAs光电阴极缺陷的产生第9-12页
   ·GaAs材料的缺陷第12-14页
   ·GaAs表面缺陷国内外研究现状第14页
   ·本文研究的意义第14-15页
   ·本文所做的工作第15-16页
2 GaAs光电阴极及其体缺陷第16-26页
   ·GaAs光电阴极的输运特性第16-21页
     ·GaAs光电阴极的光电发射第16-18页
     ·GaAs光电阴极的量子效率第18-21页
   ·GaAs光电阴极的体缺陷效应第21-26页
     ·GaAs复合机制第21-22页
     ·GaAs中的陷阱效应第22-23页
     ·复合中心与陷阱效应的能级分界第23-24页
     ·间接复合对GaAs电子寿命的影响第24-26页
3 表面缺陷对GaAs光电阴极性能的影响第26-36页
   ·表面缺陷对GaAs光电阴极输运特性的影响第26-29页
     ·表面空位对电子亲和势的影响第26-27页
     ·表面缺陷中(Cs,O)原子重新排布第27-29页
     ·GaAs氧化物对表面结构性能的影响第29页
   ·表面缺陷的电子俘获对GaAs光电阴极特性的影响第29-36页
     ·俘获截面对电子扩散长度的影响第29-34页
     ·俘获截面与量子效率的关系第34-36页
4 GaAs光电阴极表面缺陷检测系统软件设计与数据分析第36-49页
   ·GaAs光电阴极表而缺陷检测系统第36-38页
   ·GaAs光电阴极表面缺陷检测系统数据库软件设计第38-43页
   ·GaAs光电阴极表面缺陷数据分析第43-49页
5 结束语第49-50页
   ·本文所做的工作第49页
   ·有待进一步解决的问题第49-50页
致谢第50-51页
参考文献第51-53页
附录第53页

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