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低击穿电压下氢氧等离子体直接合成过氧化氢

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
引言第9-10页
1 文献综述第10-23页
   ·H_2O_2的性质、用途、传统生产工艺及新技术研发动态第10-18页
     ·H_2O_2的性质与用途第10页
     ·H_2O_2的传统生产工艺第10-12页
     ·H_2O_2合成新技术的研究现状第12-18页
   ·非平衡等离子体技术及应用前景第18-22页
     ·等离子体的定义及其分类第18-19页
     ·非平衡等离子体中的化学反应过程及产生方式第19页
     ·DBD等离子体的特征及其在化学领域中的应用第19-22页
   ·选题依据及研究内容第22-23页
     ·选题依据第22页
     ·研究内容第22-23页
2 实验装置与方法第23-28页
   ·实验原料第23页
   ·实验仪器设备第23-24页
     ·等离子体电源第23页
     ·气相色谱仪第23页
     ·示波器、电压探头及电流探头第23页
     ·发射光谱仪第23-24页
     ·三相钳形数字功率表第24页
     ·隔膜真空泵第24页
   ·等离子体法直接合成H_2O_2的实验装置及流程第24-25页
     ·常压下等离子体法直接合成H_2O_2的实验装置及流程第24-25页
     ·负压下等离子体法直接合成H_2O_2的实验装置及流程第25页
   ·自冷却双介质阻挡放电双水电极(DDBD)反应器第25-26页
   ·产物H_2O_2的检测:间接碘量法第26-27页
   ·氢氧等离子体法直接合成H_2O_2的评价指标第27-28页
3 惰性气体中氢氧等离子体直接合成H_2O_2第28-43页
   ·引言第28页
   ·添加N_2对氢氧等离子体直接合成H_2O_2的影响第28-32页
     ·添加N_2对体系击穿电压的影响第28-29页
     ·添加N_2对H_2O_2合成性能的影响第29-32页
   ·添加He对氢氧等离子体直接合成H_2O_2的影响第32-37页
     ·添加He对体系击穿电压的影响第32-33页
     ·添加He对H_2O_2合成性能的影响第33-37页
   ·添加Ar对氢氧等离子体直接合成H_2O_2的影响第37-42页
     ·添加Ar对体系击穿电压的影响第37-39页
     ·添加Ar对H_2O_2合成性能的影响第39-42页
   ·小结第42-43页
4 负压条件下氢氧等离子体直接合成H_2O_2第43-55页
   ·引言第43-44页
   ·负压条件对氢氧等离子体直接合成H_2O_2的影响第44-48页
     ·负压条件对体系击穿电压的影响第44页
     ·负压条件对H_2O_2合成性能的影响第44-48页
   ·微负压和添加He条件对氢氧等离子体直接合成H_2O_2的影响第48-51页
   ·微负压和添加Ar条件对氢氧等离子体直接合成H_2O_2的影响第51-54页
   ·小结第54-55页
5 高氧浓度下氢氧等离子体直接合成H_2O_2第55-65页
   ·引言第55页
   ·氧气浓度对氢氧等离子体直接合成H_2O_2的影响第55-58页
   ·添加Ar条件下氧气浓度对氢氧等离子体直接合成H_2O_2的影响第58-61页
   ·微负压和添加Ar条件下氧气浓度对合成H_2O_2的影响第61-64页
   ·小结第64-65页
结论第65-66页
参考文献第66-72页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第72-73页
致谢第73-74页

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