摘要 | 第1-8页 |
Abstract | 第8-14页 |
第一章 绪论 | 第14-44页 |
·引言 | 第14-17页 |
·新型高k栅介质材料的选择标准 | 第17-21页 |
·介电常数 | 第17-18页 |
·与Si的热稳定性 | 第18-19页 |
·带隙和界面势垒 | 第19-20页 |
·界面特性 | 第20-21页 |
·薄膜形态 | 第21页 |
·高k薄膜常用制备方法 | 第21-26页 |
·脉冲激光沉积技术 | 第21-23页 |
·磁控溅射 | 第23-24页 |
·分子束外延 | 第24页 |
·原子层沉积 | 第24页 |
·化学气相沉积 | 第24-25页 |
·溶胶-凝胶 | 第25-26页 |
·高k薄膜常用表征方法 | 第26-33页 |
·物相和微结构分析 | 第26-29页 |
·表面与界面分析 | 第29-31页 |
·红外光谱和声子模式 | 第31-33页 |
·电学性能表征 | 第33页 |
·高k栅介质材料的研究进展 | 第33-38页 |
·本论文的研究内容 | 第38-39页 |
参考文献 | 第39-44页 |
第二章 La_2Hf_2O_7薄膜的生长和性质研究 | 第44-84页 |
·引言 | 第44-46页 |
·La_2Hf_2O_7薄膜的生长 | 第46-48页 |
·实验所用PLD设备介绍 | 第46-48页 |
·La_2Hf_2O_7薄膜制备过程 | 第48页 |
·La_2Hf_2O_7薄膜的结构表征 | 第48-53页 |
·XRD测量与分析 | 第48-49页 |
·EXAFS测量与分析 | 第49-53页 |
·界面性质研究 | 第53-66页 |
·XRR测试与分析 | 第54-55页 |
·FTIR变角反射测试与分析 | 第55-56页 |
·XPS测试与分析 | 第56-61页 |
·氧气氛影响 | 第61-62页 |
·退火影响 | 第62-66页 |
·价带偏移 | 第66-71页 |
·实验原理和实验方法 | 第67-68页 |
·结果讨论 | 第68-71页 |
·La_2Hf_2O_7薄膜与体材料的声子模式比较 | 第71-80页 |
·介电常数与声子模式关系 | 第71-73页 |
·远红外光谱测试 | 第73-74页 |
·La_2Hf_2O_7体材料的声子模式 | 第74-77页 |
·La_2Hf_2O_7薄膜的声子模式 | 第77-80页 |
·本章小结 | 第80-81页 |
参考文献 | 第81-84页 |
第三章 Hf_((1-x))La_xO_y薄膜的生长、结构和声子性质研究 | 第84-103页 |
·引言 | 第84-85页 |
·HfO_2薄膜的生长、结构和声子性质研究 | 第85-93页 |
·HfO_2薄膜的生长 | 第85-86页 |
·HfO_2薄膜的结构表征 | 第86-90页 |
·制备条件对声子模式的影响 | 第90-93页 |
·La掺杂对HfO_2薄膜结构和声子的影响 | 第93-100页 |
·Hf_((1-x))La_xO_y薄膜的生长 | 第93-94页 |
·Hf_((1-x))La_xO_y薄膜的结构表征 | 第94-98页 |
·La掺杂对声子模式的影响 | 第98-100页 |
·本章小结 | 第100-101页 |
参考文献 | 第101-103页 |
第四章 白色长余辉材料Ca_xMgSi_2O_(5+x):Dy~(3+)的发光特性和机理研究 | 第103-122页 |
·长余辉材料简介 | 第103-108页 |
·长余辉发光材料 | 第103-105页 |
·白色长余辉材料的研究进展 | 第105-108页 |
·Ca_xMgSi_2O_(5+x):Dy_(3+)的制备与晶体结构 | 第108-110页 |
·样品制备 | 第108页 |
·Ca_xMgSi_2O_(5+x):Dy~(3+)的晶体结构 | 第108-110页 |
·Ca_xMgSi_2O_(5+x):Dy~(3+)的发光特性和机理研究 | 第110-119页 |
·Ca_xMgSi_2O_(5+x):Dy~(3+)的光致发光特性 | 第110-114页 |
·Ca_xMgSi_2O_(5+x):Dy~(3+)的长余辉特性 | 第114-117页 |
·余辉机理探讨 | 第117-119页 |
·本章小结 | 第119页 |
参考文献 | 第119-122页 |
总结与展望 | 第122-125页 |
致谢 | 第125-126页 |
硕博连读期间发表的学术论文 | 第126-127页 |