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铪基高k栅介质薄膜和白色长余辉材料CaxMgSi2O5+x:Dy3+的研究

摘要第1-8页
Abstract第8-14页
第一章 绪论第14-44页
   ·引言第14-17页
   ·新型高k栅介质材料的选择标准第17-21页
     ·介电常数第17-18页
     ·与Si的热稳定性第18-19页
     ·带隙和界面势垒第19-20页
     ·界面特性第20-21页
     ·薄膜形态第21页
   ·高k薄膜常用制备方法第21-26页
     ·脉冲激光沉积技术第21-23页
     ·磁控溅射第23-24页
     ·分子束外延第24页
     ·原子层沉积第24页
     ·化学气相沉积第24-25页
     ·溶胶-凝胶第25-26页
   ·高k薄膜常用表征方法第26-33页
     ·物相和微结构分析第26-29页
     ·表面与界面分析第29-31页
     ·红外光谱和声子模式第31-33页
     ·电学性能表征第33页
   ·高k栅介质材料的研究进展第33-38页
   ·本论文的研究内容第38-39页
 参考文献第39-44页
第二章 La_2Hf_2O_7薄膜的生长和性质研究第44-84页
   ·引言第44-46页
   ·La_2Hf_2O_7薄膜的生长第46-48页
     ·实验所用PLD设备介绍第46-48页
     ·La_2Hf_2O_7薄膜制备过程第48页
   ·La_2Hf_2O_7薄膜的结构表征第48-53页
     ·XRD测量与分析第48-49页
     ·EXAFS测量与分析第49-53页
   ·界面性质研究第53-66页
     ·XRR测试与分析第54-55页
     ·FTIR变角反射测试与分析第55-56页
     ·XPS测试与分析第56-61页
     ·氧气氛影响第61-62页
     ·退火影响第62-66页
   ·价带偏移第66-71页
     ·实验原理和实验方法第67-68页
     ·结果讨论第68-71页
   ·La_2Hf_2O_7薄膜与体材料的声子模式比较第71-80页
     ·介电常数与声子模式关系第71-73页
     ·远红外光谱测试第73-74页
     ·La_2Hf_2O_7体材料的声子模式第74-77页
     ·La_2Hf_2O_7薄膜的声子模式第77-80页
   ·本章小结第80-81页
 参考文献第81-84页
第三章 Hf_((1-x))La_xO_y薄膜的生长、结构和声子性质研究第84-103页
   ·引言第84-85页
   ·HfO_2薄膜的生长、结构和声子性质研究第85-93页
     ·HfO_2薄膜的生长第85-86页
     ·HfO_2薄膜的结构表征第86-90页
     ·制备条件对声子模式的影响第90-93页
   ·La掺杂对HfO_2薄膜结构和声子的影响第93-100页
     ·Hf_((1-x))La_xO_y薄膜的生长第93-94页
     ·Hf_((1-x))La_xO_y薄膜的结构表征第94-98页
     ·La掺杂对声子模式的影响第98-100页
   ·本章小结第100-101页
 参考文献第101-103页
第四章 白色长余辉材料Ca_xMgSi_2O_(5+x):Dy~(3+)的发光特性和机理研究第103-122页
   ·长余辉材料简介第103-108页
     ·长余辉发光材料第103-105页
     ·白色长余辉材料的研究进展第105-108页
   ·Ca_xMgSi_2O_(5+x):Dy_(3+)的制备与晶体结构第108-110页
     ·样品制备第108页
     ·Ca_xMgSi_2O_(5+x):Dy~(3+)的晶体结构第108-110页
   ·Ca_xMgSi_2O_(5+x):Dy~(3+)的发光特性和机理研究第110-119页
     ·Ca_xMgSi_2O_(5+x):Dy~(3+)的光致发光特性第110-114页
     ·Ca_xMgSi_2O_(5+x):Dy~(3+)的长余辉特性第114-117页
     ·余辉机理探讨第117-119页
   ·本章小结第119页
 参考文献第119-122页
总结与展望第122-125页
致谢第125-126页
硕博连读期间发表的学术论文第126-127页

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