| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-37页 |
| ·文献综述 | 第13-26页 |
| ·SiCN的理论模拟 | 第13-16页 |
| ·SiC_xN_y的结构和成键性质 | 第16-20页 |
| ·SiC_xN_y的各种制备方法及发光性质 | 第20-22页 |
| ·衬底缓冲层对薄膜发光的影响 | 第22-24页 |
| ·SiC_xN_y电学性质 | 第24-25页 |
| ·稀土掺杂半导体的性质 | 第25-26页 |
| ·SiCN研究趋势 | 第26页 |
| ·论文的指导思想和研究内容 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-37页 |
| 第二章 实验原理与表征方法 | 第37-65页 |
| ·序言 | 第37页 |
| ·溅射 | 第37-48页 |
| ·等离子体与气体电离过程 | 第37-40页 |
| ·直流辉光放电过程 | 第40-41页 |
| ·直流辉光放电伏安特性曲线 | 第41-43页 |
| ·射频辉光放电 | 第43-44页 |
| ·溅射及其原理 | 第44-46页 |
| ·溅射参数 | 第46页 |
| ·射频溅射装置 | 第46-48页 |
| ·工艺参数 | 第48页 |
| ·蒸发镀膜 | 第48-49页 |
| ·衬底选择与清洗工艺 | 第49-52页 |
| ·衬底选择 | 第49-50页 |
| ·衬底清洗工艺 | 第50页 |
| ·衬底加热 | 第50-51页 |
| ·温度测量 | 第51-52页 |
| ·论文涉及的表征方法 | 第52-61页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第52页 |
| ·椭圆偏振光谱(Spectroscopic Ellipsometry,SE) | 第52-55页 |
| ·喇曼(Raman)光谱 | 第55-56页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第56-57页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第57页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第57-58页 |
| ·紫外—可见分光光度计(UV-VIS) | 第58-59页 |
| ·荧光分光光度计(Fluorophotometer) | 第59-60页 |
| ·电致发光 | 第60-61页 |
| ·表面轮廓仪(Surface Profiler/Profilometer) | 第61页 |
| 本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 第三章 SiCN薄膜的制备与特性研究 | 第65-93页 |
| ·序言 | 第65-66页 |
| ·SiCN薄膜的制备工艺 | 第66-68页 |
| ·衬底选择 | 第66页 |
| ·衬底的清洗工艺 | 第66-67页 |
| ·衬底加热及控温 | 第67页 |
| ·制备工艺参数 | 第67-68页 |
| ·SiCN薄膜的表征 | 第68-82页 |
| ·溅射参数对薄膜沉积的影响 | 第68-71页 |
| (1) 溅射参数对薄膜沉积速率的影响 | 第68-69页 |
| (2) 衬底温度对SiCN成核结晶的影响 | 第69-70页 |
| (3) 沉积温度对表面形貌的影响 | 第70-71页 |
| ·溅射参数对薄膜成键影响 | 第71-82页 |
| (1) IR表征 | 第72-76页 |
| (2) Raman研究 | 第76-79页 |
| (3) XPS研究 | 第79-82页 |
| ·SiCN薄膜的性质 | 第82-85页 |
| ·光学带隙 | 第82-83页 |
| ·SiCN薄膜的光致发光性质 | 第83-85页 |
| ·本章小结 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-93页 |
| 第四章 SiCN电致发光薄膜制备与性质研究 | 第93-105页 |
| ·序言 | 第93-94页 |
| ·SiCN薄膜的制备 | 第94-95页 |
| ·SiCN薄膜的光学性质 | 第95-97页 |
| ·SiCN基电致发光器件的制备和研究 | 第97-102页 |
| ·本章总结 | 第102页 |
| 参考文献 | 第102-105页 |
| 第五章 稀土掺杂的SiCN薄膜的制备和性质研究 | 第105-135页 |
| ·序言 | 第105-107页 |
| ·氢化SiCN:Tb薄膜的制备和碳热处理 | 第107-117页 |
| ·氢化SiCN:Tb薄膜的制备和碳热处理 | 第107-108页 |
| ·氢化SiCN:Tb薄膜的表征和测试 | 第108-111页 |
| ·氢化SiCN:Tb薄膜的XRD谱 | 第108页 |
| ·SiCN:Tb薄膜的形貌演变 | 第108-110页 |
| ·SiCN:Tb薄膜的成分 | 第110页 |
| ·SiCN:Tb薄膜的光致发光行为 | 第110-111页 |
| ·表征和测试结果分析 | 第111-117页 |
| ·退火温度对样品形貌的影响 | 第111-112页 |
| ·退火温度对样品发光性能的影响 | 第112-113页 |
| ·结晶性SiCN:Tb薄膜的发光机制 | 第113-117页 |
| ·无氢SiCN:Tb薄膜的制备和性质研究 | 第117-127页 |
| ·无氢SiCN:Tb薄膜的制备 | 第117-121页 |
| ·空气中退火 | 第121-122页 |
| ·NH_3退火处理 | 第122-127页 |
| ·本章小结 | 第127-128页 |
| 参考文献 | 第128-135页 |
| 第六章 总结与展望 | 第135-141页 |
| ·本论文的主要结论 | 第135-138页 |
| ·工作展望 | 第138-141页 |
| 在学期间发表的研究成果 | 第141-143页 |
| 致谢 | 第143页 |
