致谢 | 第4-5页 |
摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6页 |
1 绪论 | 第9-19页 |
1.1 研究背景 | 第9-10页 |
1.2 国内外研究现状 | 第10-16页 |
1.3 研究内容 | 第16页 |
1.4 本文内容安排 | 第16-17页 |
1.5 本章小结 | 第17-19页 |
2 超材料结构吸波原理 | 第19-29页 |
2.1 引言 | 第19页 |
2.2 超材料结构的吸波特性 | 第19-21页 |
2.3 超材料吸波结构的吸收原理 | 第21-24页 |
2.3.1 阻抗匹配 | 第21-22页 |
2.3.2 吸收原理 | 第22-24页 |
2.4 有效媒质近似理论 | 第24-26页 |
2.4.1 Maxwell-Gamett近似模型 | 第24-25页 |
2.4.2 Bruggeman近似模型 | 第25页 |
2.4.3 Sheng近似模型 | 第25-26页 |
2.5 等效介电常数和等效磁导率的反演 | 第26-28页 |
2.6 本章小结 | 第28-29页 |
3 二氧化钒薄膜的制备及其光学特性 | 第29-41页 |
3.1 二氧化钒相变机理 | 第29-33页 |
3.1.1 二氧化钒简介 | 第29页 |
3.1.2 相变类型的分类 | 第29-30页 |
3.1.3 二氧化钒的相变机理 | 第30-33页 |
3.1.3.1 二氧化钒(M/R相)的晶体结构 | 第30-31页 |
3.1.3.2 低温半导体相态价带杂化 | 第31-32页 |
3.1.3.3 高温金属相态价带杂化 | 第32-33页 |
3.2 二氧化钒薄膜的制备方法 | 第33-36页 |
3.2.1 溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第33-34页 |
3.2.2 真空蒸镀法 | 第34-35页 |
3.2.3 化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition) | 第35页 |
3.2.4 溅射法 | 第35-36页 |
3.2.5 其他工艺 | 第36页 |
3.3 二氧化钒薄膜的制备 | 第36-38页 |
3.3.1 工作原理 | 第36-37页 |
3.3.2 磁控溅射工艺制备薄膜 | 第37-38页 |
3.4 二氧化钒薄膜光学特性测试 | 第38-39页 |
3.5 本章小结 | 第39-41页 |
4 基于二氧化钒的红外可调谐吸波结构设计 | 第41-59页 |
4.1 仿真模型中材料光学参数选取 | 第41-45页 |
4.1.1 氧化铝材料参数 | 第41-43页 |
4.1.2 二氧化钒材料参数 | 第43-45页 |
4.2 基于二氧化钒的红外可调谐吸波结构 | 第45-56页 |
4.2.1 经典红外吸波结构设计 | 第45-48页 |
4.2.2 二氧化钒代替底层金属结构 | 第48-50页 |
4.2.3 二氧化钒代替顶层金属结构 | 第50-52页 |
4.2.4 薄膜型二氧化钒红外可调谐吸波结构 | 第52-55页 |
4.2.5 纳米块型二氧化钒红外可调谐吸波结构 | 第55-56页 |
4.3 实验与测试 | 第56-58页 |
4.4 本章小结 | 第58-59页 |
5 基于石墨烯的红外可调谐吸波结构 | 第59-67页 |
5.1 仿真模型中光学参数的选取 | 第59-61页 |
5.1.1 硅的材料参数 | 第59-60页 |
5.1.2 石墨烯的材料参数 | 第60-61页 |
5.2 基于石墨烯的红外可调谐吸波结构 | 第61-62页 |
5.3 基于石墨烯和二氧化钒的红外可调谐吸波结构 | 第62-66页 |
5.4 本章小结 | 第66-67页 |
6 总结与展望 | 第67-69页 |
6.1 全文总结 | 第67-68页 |
6.2 展望 | 第68-69页 |
参考文献 | 第69-75页 |
作者简介 | 第75页 |